Как проверить полевой транзистор тестером: Страница не найдена

Содержание

Как проверить полевой транзистор мультиметром

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток).

Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора. [attention type=green]Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток. [/attention]При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

[blockquote_gray]
Общие правила в том, как проверить транзистор мультиметром, гласят начать процедуру с определения работоспособности самого измерительного прибора. Убедившись, что тот работает безошибочно, переходят к дальнейшим измерениям.

Работоспособность катушки зажигания определяют проверкой сопротивлений на первичной и вторичной обмотках с помощью мультиметра.[/blockquote_gray]

Порядок проверки исправности n-канального транзистора мультиметром следующий:

  1. Снять статическое электричество с транзистора.
  2. Перевести мультиметр в режим проверки диодов.
  3. Подключить черный провод мультиметра к минусу измерительного прибора, а красный – к плюсу.
  4. Подключить красный провод к истоку, а черный – к стоку транзистора. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В.
  5. Подключить красный провод мультиметра к стоку, а черный – к истоку транзистора. При исправном приборе мультиметр покажет единицу, что означает бесконечность.
  6. Подключить черный провод к истоку, а красный – к затвору. Таким образом, осуществляется открытие транзистора.
  7. Черный провод оставляется на истоке, а красный подсоединяется к стоку. При исправном приборе мультиметр покажет напряжение от 0 до 800 мВ.
  8. При смене полярности щупов мультиметра величина показаний не должна измениться.
  9. Подключить красный провод к истоку, а черный – к затвору. Произойдет закрытие транзистора.
  10. При этом транзистор возвратиться в состояние, соответствующее п.п.4 и 5.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

[attention type=red]Полевой транзистор имеет большую входную емкость, которая разряжается довольно долго. [/attention]Это используется при проверке транзистора, когда вначале его открывают напряжением мультиметра (п.6), а затем в течение некоторого времени, пока не разрядилась входная емкость, проводят дополнительные измерения (п.п. 7,8).

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

[blockquote_gray]Чтобы выбрать необходимый вариант, как подключить однофазный электродвигатель через конденсатор, требуется исходить из нужных характеристик функционирования агрегата — пусковой, рабочий или смешанный.

Эффективное использование электродвигателей основано на правильном понимании принципа его работы. Асинхронные моторы можно использовать в домашних условиях как генератор.[/blockquote_gray]

Выводы:

  1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
  2. Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
  3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

Как проверить полевой транзистор мультиметром

При проведении ремонтных работ электронной техники, возникает вопрос проверки функционального состояния тех или иных полупроводниковых элементов. Решение этой проблемы сильно облегчает наличие специализированных приборов, однако, во многих случаях вполне можно обойтись и без них.

Есть ряд способов, как проверить транзистор мультиметром без использования сложных приборов и каких-либо дополнительных электрических схем. Рассматриваются алгоритмы проверки различных типов транзисторов.

 

 

Проверка trz (транзистора), равно как и любого другого элемента схемы, начинается с определения его типа. Эту информацию несложно найти в интернете. У опытного мастера всегда есть под рукой ссылки на проверенные ресурсы. Если таковых нет, то, обычно достаточно вбить маркировку компонента в поисковой системе и нужная информация найдется уже на первой странице поисковой выдачи. Наиболее распространенные типы транзисторов: биполярные, полевые, составные, однопереходные. Определив тип элемента, можно начинать его функциональную проверку.

Биполярный транзистор

Наиболее распространенные транзисторы. Используются в основном в схемах усиления или генерации сигнала: в усилителях, генераторах, модуляторах, инверторах и т. д. Бывают двух типов: p-n-p и n-p-n. Не углубляясь в структуру полупроводникового прибора, достаточно будет сказать, что каждый p-n переход представляет собой диод. Строго говоря, это не совсем так, но для проверки работоспособности такое представление вполне допустимо. Таким образом, последовательность p-n-p представима в виде двух диодов, соединенных катодами, а n-p-n – двух диодов, соединенных анодами. Чтобы проверить, работоспособность такого элемента, нужно мультиметром замерить сопротивление переходов.

Определение работоспособности p-n-p полупроводника:

  • Берется мультиметр. Черный провод (обозначим его как Ч) помещается в гнездо COM (минус).
  • Красный (К) – в гнездо VΩmA (плюс).
  • Тестер выставляется на замер электрического сопротивления. Предельное значение выбирается 2 кОм. Это означает, что мультиметр может корректно измерять сопротивление от 0 до 2000 Ом. При превышении данного порога, на экране прибора загорится «1».
  • Для замера прямых сопротивлений Ч закрепляется на базе элемента.
  • Чтобы замерить величину сопротивления эмиттерного перехода, К помещается на эмиттер.
  • Измеренное значение должно быть от 500 до 1200 Ом. Аналогично и для коллектора.
  • Для измерения обратных сопротивлений на базе элемента закрепляется К. Ч поочередно помещается на коллектор и эмиттер. Полученные значения должны превышать установленный порог в 2кОм. Об этом, в обоих случаях, будет свидетельствовать цифра «1» на экране тестера.
  • Для n-p-n полупроводника применяется та же самая методика. За исключение того, что в п.1 Ч и К помещаются в противоположные гнезда. Тем самым меняется полярность щупов тестера.

Если изначально нет информации относительно расположения базы, коллектора, эмиттера, это нетрудно определить. Измерительный прибор устанавливается в состояние п. 1 и п. 2 вышеприведенной схемы. К (плюс) помещается на правый вывод полупроводника. Ч (минус) поочередно замыкается на средний и левый выводы. Если в обоих случаях тестер покажет «1», то данный контакт и есть база. В противном случае аналогичным образом тестируем оставшиеся контакты.

Остается найти эмиттер и коллектор. Для этого необходимо просто замерить сопротивление коллекторных и эмиттерных переходов. Ч помещается на базу. К поочередно замыкается на оставшиеся выводы. Полученные значения должны лежать в диапазоне от 500–1200 Ом. При этом большее значение будет относиться к коллекторному переходу, а меньшее, соответственно к эмиттерному.

Полевой транзистор

Обладает значительно меньшим энергопотреблением по сравнению с биполярным. Основная область применения – это приборы, работающие в ждущем или следящем режимах. Импортные элементы обычно имеют маркировку, упрощающую идентификацию выводов: G-затвор, S-исток, D-сток. Полевой транзистор или, как его еще называют, мосфет, бывает n-канальный и p-канальный. Алгоритмы проверки работоспособности полупроводников обоих типов похожи.

Определение функциональности n-канального полупроводника.

Поскольку у таких компонентов между стоком и истоком часто встраивается диод, то, для проверки функциональности, на измерительном устройстве устанавливается в режим проверки диодов. Ч идет на минус тестера, а К – на плюс.

  • К помещается на исток элемента, а Ч – на сток. Напряжение должно быть от 500 до 700 мВ.
  • К – на сток, а Ч – на исток. Значение в этом случае должны выходить за пределы измерений мультиметра. Об этом свидетельствует цифра «1» на экране прибора.
  • Ч – на истоке. Касание К затвора открывает транзистор. Ч остается на истоке, а К соединяется со стоком. Замеренное напряжение должно лежать в диапазоне от 0 до 800 мВ и не зависеть от смены полярности проводов тестера.
  • Замыкание К на исток, а Ч – на затвор проводит к закрытию прибора и переводу его в изначальное состояние.

Для определение работоспособности p-канального полупроводника Ч подключается к плюсу мультиметра, а К – к минусу. Дальнейшая последовательность действий аналогична методике проверки элемента n-канального типа.

Составной транзистор

Также известен как пара Дарлингтона. Является каскадом из двух и более биполярных транзисторов. Тестирование таких элементов одним лишь мультиметром, без сборки дополнительных схем, не представляется возможным. Вопрос монтажа подобных вспомогательных схем выходит за рамки данной статьи.

Однопереходный транзистор

В основном используются во всевозможных реле и пороговых устройствах. У элементов данного типа присутствует только один p-n переход. Для проверки его работоспособности мультиметром замеряется сопротивление между ножками «Б1» и «Б2». Если полученная величина незначительна, то компонент неисправен.

Проверка элемента без выпаивания его из схемы

Часто возникает вопрос, как проверить smd транзистор мультиметром. SMD – это аббревиатура от английского Surface Mounted Device (устройство, монтируемое на поверхность). Такие полупроводники не вставляются в отверстия плат. Их просто напаивают сверху на контактные дорожки. В современных платах плотность таких дорожек невероятно велика. Более того, часто они располагаются в несколько слоев. Поэтому если какая-то из дорожек располагается в середине такого «пирога», то ее может быть просто не видно.

Становится понятно, что поскольку демонтаж и обратный монтаж smd компонентов на контактные дорожки печатных плат зачастую сопряжен со значительными сложностями, то лучше всего было бы осуществить проверку функциональности элемента, не выпаивая его. К сожалению, такое подход возможен только для биполярных транзисторов. Однако даже при положительных итогах проверки нельзя быть полностью уверенным в результате. В большинстве же случаев только лишь демонтаж элемента с печатной планы позволяет гарантированно проверить его работоспособность.

Как проверить транзистор | Электрик



Часто в ремонте разной электронной техники возникает подозрение в неисправности биполярных или полевых (Mosfet) транзисторов. Помимо специализированных приборов и пробников для проверки транзисторов, существуют способы доступные всем, из минимума нам подойдет самый простой тестер или мультиметр.

Как мы знаем транзисторы, в основном, бывают двух разновидностей: биполярные и полевые, принцип работы их похож но способы проверки существенно отличаются, поэтому мы рассмотрим разные методы проверки для каждых транзисторов по отдельности.

Проверка биполярных транзисторов


Способы проверки биполярных транзисторов достаточно просты и для удобства нужно помнить что биполярный транзистор условно представляет из себя два диода с точкой по середине, по сути из двух p-n переходов.

Биполярные транзисторы существуют двух типов проводимости: p-n-p и  n-p-n что необходимо помнить и учитывать при проверке.

А диод как мы знаем, пропускает ток только в одну сторону, что мы и будем проверять.
Если так получится что ток проходит в обе стороны перехода то это явно указывает на то что транзистор «пробит» но это все условности, в реальности же при замере сопротивления ни в какой из позиций проверяемых переходов не должно быть «нулевого» сопротивления — поэтому это и есть самый простой способ выявления поломки транзистора.
Ну а теперь рассмотрим более достоверные способы проверки и поподробней.

И так выставляем тестер или мультиметр в режим прозвонки (проверка диодов), дальше нужно убедится в том что щупы вставлены в правильные разъемы (красный и черный), а на дисплее нет значка «разряжен». На дисплее должна быть единица а при замыкание щупов должны высветится нули (или близкие к нулям значения), также должен прозвучать звуковой сигнал. И так мы убедились в выборе правильного режима мультиметра, можем приступать к проверке.

И так поочередно проверяем все переходы транзистора:

  • База — Эмиттер — исправный переход будит вести себя как диод, то есть проводить ток только в одном направление.
  • База — Коллектор — исправный переход будит вести себя как диод, то есть проводить ток только в одном направление.
  • Эмиттер — Коллектор — в исправном состояние сопротивление перехода должно быть «бесконечное», то есть переход не должен пропускать ток или прозваниватmся ни в одном из положений полярности.

В зависимости от полярности транзистора (p-n-p или n-p-n) будит зависить лишь направление «прозвонки» переходов база-эмиттер и база-коллектор, с разной полярностью транзисторов направление будет противоположное.

Как определяется «пробитый» переход?
Если мультиметр обнаружит что какой ли бо из переходов (Б-К или Б-Э) в обоих из включений полярности имеет «нулевое» сопротивление и пищит звуковая индикация то такой переход пробит и транзистор неисправен.

Как определить обрыв p-n перехода?
Если один из переходов в обрыве — он не будит пропускать ток и прозваниватся ни в одну из сторон полярности как бы вы не меняли при этом полярность щупов.

Думаю всем понятно как проверять переходы транзистора, суть проверки такая же как у диодов, черный (минусовой) щуп ставим например на коллектор, а красный щуп (плюсовой) на базу и смотрим показания на дисплее. Затем меняем щупы тестера местами и смотрим показания снова. В исправного транзистора в одном случае должно быть какое то значение, как правило больше 100, в другом случае на дисплее должна быть единица «1» что говорит о «бесконечном» сопротивление.

Проверка транзистора стрелочным тестером


Принцип проверки все тот же, мы проверяем переходы (как диоды)
Отличие лишь в том что такие «омметры» не имеют режима прозвонки диодов и «бесконечное» сопротивление у них находится в начальном состояние стрелки, а максимальное отклонение стрелки будит уже говорить о «нулевом» сопротивление. К этому нужно просто привыкнуть и помнить о такой особенности при проверке.
Измерения лучше всего производить в режиме «1Ом» (можно пробовать и до *1000Ом пределе).

Для проверки в схеме (не выпаивая) стрелочным тестером можно даже более точно определить сопротивление перехода если он в схеме зашунтирован низкоомным резистором, например показания сопротивления в 20 Ом будет уже указывать о том что сопротивление перехода не «нулевое» а значит большая вероятность что переход исправен. С мультиметром же в режиме прозвонки диодов будит такая картина что он попросту будет показывать «кз» и пищать (тоже конечно зависит от точности прибора).

Если не известно где база, а где эмиттер и коллектор. Цоколевка транзистора?


У транзисторов средней и большой мощности вывод коллектора всегда на корпусе который переиначенный для закрепления на радиатора, так что с этим проблем не будит. А уже зная расположение коллектора, найти базу и эмиттер будит намного проще.
Ну а если транзистор малой мощности в пластмассовом корпусе где все выводы одинаковы будим применять такой способ:
Все что нам нужно — поочередно замерить все комбинации переходов прикасаясь щупами поочередно к разным выводам транзистора.

Нам нужно найти два перехода которые покажут бесконечность «1». Например: мы нашли бесконечность между правим-левим и правим-среднем, то есть по сути мы нашли и измеряли обратное сопротивления двух p-n переходов (как диодов) из этого размещение базы стает очевидным — база справа.
Дальше ищем где коллектор а где эмиттер, для этого от базы уже измеряем прямое сопротивление переходов и здесь все стает ясно так как сопротивление перехода база-Коллектор всегда меньше по сравнению с переходом база-Эмиттер.

Быстрая точная проверка транзистора


Если под руками есть мультиметр с функцией тестирования коэффициента усиления транзисторов — замечательно, проверка займет несколько секунд, здесь лишь надо будет определить правильную цоколевку (если конечно она не известна).
У таких мультиметров проверочные гнезда состоят из двух отделов p-n-p и n-p-n, а кроме того каждый отдел имеет три комбинации как можно вставить туда транзистор, то есть вместе не более 6 комбинаций, и только лишь одна правильная которая должна показать коэффициент усиления транзистора, за условий что он исправен.

Простой пробник


В данной схеме транзистор будет работать как ключ, схема очень простая и удобная если нужно часто и много проверять транзисторы.

Если транзистор рабочий — при нажатие кнопки светодиод светится, при отпускание гаснет.
Схема представлена для n-p-n транзисторов, но она универсальна, все что нужно сделать, это поставить параллельно к светодиоду еще один светодиод в обратной полярности, а при проверке p-n-p транзистора — просто менять полярность источника питания.

Если по данной методике что то идет не так, задумайтесь, а транзистор ли перед вами и случайно быть может он не биполярный, а полевой или составной.
Часто бывает путают при проверке составные транзисторы пытаясь их проверить стандартным способом, но нужно в первую очередь смотреть справочник или «даташит» со всем описанием транзистора.


Как проверить составной транзистор Чтобы проверить такой транзистор его необходимо «запустить» то есть он должен как бы работать, для создания такого условия есть простой но интересный способ.
Стрелочным тестером, выставленным в режим проверки сопротивления (предел *1000?) подключаем щупы, плюсовой на коллектор, минусовой на эмиттер — для n-p-n (для p-n-p наоборот) — стрелка тестера не двинется сместа оставаясь в начале шкалы «бесконечность» (для цифрового мультиметра «1»)
Теперь если послюнявить палиц и замкнуть им прикоснувшысь к выводам базы и коллектора то стрелка сдвинется с места от того что транзистор немного приоткроется.
Таким же способом можно проверить любой транзистор даже не выпаивая з схемы.
Но следует помнить что некоторые составные транзисторы имеют в своем составе защитные диоды в переходе эмиттер-коллектор что дает им преимущество в работе с индукционной нагрузкой, например с электромагнитным реле.

Проверка полевых транзисторов

Здесь есть один отличительный момент при проверке таких транзисторов — они очень чувствительны к статическому электричеству которое способно вывести из строя транзистор если не соблюдать методы безопасности при проверке а также выпайке и перемещению. И в большей мере подвержены статике именно маломощные и малогабаритные полевые транзисторы.

Какие методы безопасности?
Транзисторы должны находится на столе на металлическом листе который подключен к заземлению. Для того чтобы снять с человека предельный статический заряд — применяют антистатический браслет который надевают на запястье.
Кроме того хранение и транспортировка особо чувствительных полевиков должна быть з закорочеными выводами, как правило выводы просто обматывают тонкой медной проволкой.

Полевой транзистор в отличие от биполярного управляется напряжением, а не током как у биполярного, поэтому прикладывая напряжение к его затвору мы его или открываем (для N-канального) или закрываем (для P-канального).

Проверить полевой транзистор можно как стрелочным тестером так и цифровым мультиметром.
Все выводы полевого транзистора должны показывать бесконечное сопротивление, независимо от полярности и напряжения на щупах.

Но если поставить положительный щуп тестера к затвору (G) транзистора N-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. И уже измеряя сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов, например емкости затвора и сопротивления перехода.

Для P-канального типа транзистора полярность щупов обратная. Также для чистоты эксперимента, перед каждой проверкой необходимо закорачивать выводы транзистора пинцетом чтобы снять заряд с затвора после чего сопротивление сток-исток должно снова стать «бесконечным» («1») — если это не так то транзистор скорее всего неисправен.

Особенностью современных мощных полевых транзисторов (MOSFET’ов) есть то что канал сток-исток прозванивается как диод, встроенный диод в канале полевого транзистора есть особенностью мощных полевиков (явление производственного процесса).
Чтобы не посчитать такую «прозвонку» канала за неисправность просто следует помнить о диоде.

В исправном состояние переход сток-исток MOSFETа должен в одну сторону звониться как диод а в другую показывать бесконечность (в закрытом состояние — после закорачивания выводов) Если переход прозваниваеться в обе стороны с «нулевым» сопротивлением то такой транзистор «пробит» и неисправен

Наглядный способ (экспресс проверка)

  • Необходимо замкнуть выводы транзистора

  • Тестером в режиме прозвонки (диод) ставим плюсовой щуп к истоку, а минусовой к стоку (исправный покажет 0.5 — 0.7 вольта)

  • Теперь меняем щупы местами (исправный покажет «1» или по другому говоря бесконечное сопротивление)
  • Минусовой щуп ставим к истоку, а плюсовой на затвор (открываем транзистор)

  • Минусовой щуп оставляем на истоке, а плюсовой сразу ставим на сток, исправный транзистор будет открыт и покажет 0 — 800 милливольт

  • Теперь можем поменять плюсовой и минусовой щупы местами, в обратной полярности переход сток-исток должен иметь такое же сопротивление.

  • Плюсовой щуп ставим к истоку, а минусовой на затвор — транзистор закроется

  • Можем снова проверить переход сток-исток, он должен показывать снова «бесконечное» сопротивление так как транзистор уже закрыт (но помним про диод в обратной полярности)

Большая емкость затвора некоторых полевых транзисторов (особенно мощных) позволяет некоторое продолжительное время сохранять транзистор открытим, что позволяет нам открыв его проверять сопротивление сток-исток уже убрав плюсовой щуп с затвора. Но у транзисторов с малой емкостью затвора необходимо очень быстро перемещать щупы что бы зафиксировать правильную работу транзистора.


Примечание: для проверки P-канального полевого транзистора, процесс выглядит также но щупы мультиметра должны быть противоположной полярности. Для удобства можно перекинуть их местами (красный на минус, а черный на плюс) и использовать все туже описану выше инструкцию.

Проверяя транзистор по такой методике канал сток-исток можно открывать и закрывать даже пальцем, например чтобы открыть достаточно прикоснутся пальцем к затвору держась при этом второй рукой за плюс, а чтобы закрыть нужно все также прикоснутся к затвору но уже держась другим пальцем или второй рукой за минус. Интересный опыт который дает понимание того что транзистор управляется не током (как у биполярных) а напряжением.

Простая схема пробника для проверки полевых транзисторов


Можно собрать простую и эффективную схему проверки полевиков которая достаточно ясно даст понять о состояние транзистора, к тому же достаточно быстро можно перекидать транзисторы если их предстоит проверять часто и много. В некоторых схемах можно проверить транзистор даже полностью не выпаивая его с платы.

Схема универсальна как для P-канальных так и для N-канальных полевых транзисторов в ней присутствует два светодиода включенных в обратной полярности друг к другу (каждый для своего типа) и все что остается при смене типа проверяемого полевого транзистора — просто поменять полярность источника питания.

Как позвонить полевой транзистор. Как простым омметром проверить полевой транзистор. Как проверить полевой транзистор мультиметром

Современные электронные мультиметры имеют специализированные коннекторы для проверки различных радиодеталей, включая транзисторы.

Это удобно, однако, проверка не совсем корректная. Радиолюбители со стажем помнят, как проверить транзистор тестером со стрелочной индикацией. Техника проверки на цифровых приборах не изменилась. Для точного определения состояния полупроводникового прибора, каждые его элемент тестируется отдельно.

Этикетки безопасности — весь набор деструктивных меток, способных выделять уничтожение печати стандартным или определенным клиентом текстом. Доступны в широком диапазоне размеров, таких как: толщина — 1 мм, 2 мм, 3 мм и ширина 6 мм, 9 мм, 12 мм, 25 мм. Этикетки с высокой термостойкостью — целый ряд высокотемпературных ярлыков, изготовленных из специальных материалов, используемых для идентификации компонентов в процессе производства. Стандартные и интеллектуальные этикетки — в качестве полного поставщика услуг мы можем предоставить этикетки любой формы, цвета, материала для любой технологии.

Классика вопроса: как проверить биполярный транзистор мультиметром

Этот популярный проводник выполняет две задачи:

  • Режим усиления сигнала. Получая команду на управляющие выводы, прибор дублирует форму сигнала на рабочих контактах, только с большей амплитудой;
  • режим ключа. Подобно водопроводному крану, полупроводник открывает или закрывает путь электрическому току по команде управляющего сигнала.

Полупроводниковые кристаллы соединены в корпусе, образуя p-n переходы . Такая же технология применяется в диодах. По сути – биполярный транзистор состоит из двух диодов, соединенных в одной точке одноименными выводами.
Чтобы понять, как проверить транзистор мультиметром, рассмотрим отличие pnp и npn структуры.

У нас есть необходимые материалы, и технология, которую мы используем для маркировки этикеток, позволяет нам запускать как можно больше или несколько ярлыков, и, что наиболее важно, как бы сложно это ни было. Это то, что мы делаем лучше всего. Метка часто является частью, которая остается видимой и представляет собой интерфейс между их производителем и клиентом, который в них нуждается. Это кажется банальным, но это ярлык, который продает продукт и через который производитель находится в конечном продукте.

Но это не определяет качество этого ярлыка вообще. Метка должна использоваться практически для той цели, для которой она была изготовлена. Чтобы полностью удовлетворить эти требования, этикетки должны придерживаться различных поверхностей: алюминия, картона, стекла, стали, пластика и многих других. Выбор ярлыка, который вам нужен, очень важен.

Так называемый «прямой» (см. фото)


С обратным переходом, как изображено на фото


Разумеется, если вы спаяете диоды так, как показано на условной схеме – транзистор не получится. Но с точки зрения проверки исправности – можно представить, что у вас обычные диоды в одном корпусе.

То есть, положив перед собой схему полупроводниковых переходов, вы легко определите не только исправность детали в целом, но и локализуете конкретный неисправный p-n переход. Это поможет понять причину поломки, ведь полупроводник работает не автономно, а в составе электросхемы.

Как проверить биполярный транзистор мультиметром — видео.

Возникает резонный вопрос: Как определить маркировку выводов транзистора, не имея каталога? Такая практика пригодится не только для проверки радиодеталей. При сборке монтажной платы, незнание конструкции транзистора приведет к его перегоранию.

С помощью мультиметра можно определить назначение выводов.

Важно! Это правило работает лишь в случае с исправным транзистором. Впрочем, если деталь неисправна, вам незачем определять названия контактов.

Мультиметр выставляем в режим измерения сопротивления, предел шкалы – 2000 Ом. Выводы прибора – красный плюс, черный минус. Транзистор располагаем любым удобным способом, выводу условно определяем как «левый», «средний», «правый».

Определение базы

Красный щуп на левый контакт , замеряем сопротивление на среднем и правом выводах. В нашем случае это значение «бесконечность» (на индикаторе «1»), и 816 Ом (типичное сопротивление исправного p-n перехода при прямом подключении). Фиксируем результат измерений.

Красный щуп на середину , производим замер левого и правого контактов. С «бесконечностью» все понятно, обращаем внимание на то, что вторая пара показала результат, отличный от первого измерения. Это нормально, эмиттерный и коллекторный переходы имеют разное сопротивление. Об этом позже.

Красный щуп на правый контакт , производим замеры оставшихся комбинаций. В обоих случаях получаем единичку, то есть «бесконечное» сопротивление.

При таком раскладе, база находится на правом выводе. Этих данных недостаточно для пользования деталью. У производителей нет единого стандарта по расположению эмиттера и коллектора, поэтому определяем выводы самостоятельно.

Определение остальных выводов

Черный щуп на «базу», меряем сопротивление переходов. Одна ножка показала 807 Ом (это коллекторный переход), вторая – 816 Ом (эмиттерный переход).

Важно! Эти значения сопротивления не являются константой, в зависимости от производителя и мощности транзистора величина может незначительно отклоняться. Главное правило – сопротивление коллектора относительно базы меньше, чем сопротивление эмиттера.

Точно таким же способом производится проверка исправности биполярного транзистора. В ходе определения контактов, мы заодно проверили исправность детали. Если вам известно расположение выводов – проверяете переходы «база-эмиттер» и «база коллектор», меняя полярность щупов.

При прямом подключении – вы увидите значения, аналогичные предыдущим замерам. При обратном – сопротивление должно быть бесконечным. Если это не так – переходы относительно базы неисправны.
Последняя проверка – переход «эмиттер-коллектор». В обоих направлениях исправная деталь покажет бесконечное сопротивление.


Если в ходе тестирования вы получили именно такие результаты – ваш биполярный транзистор исправен.

Как проверить транзистор мультиметром не выпаивая

Прежде всего, проверьте расположение на монтажной плате остальных радиодеталей, относительно выводов транзистора. Иногда переходы шунтируются резисторами с небольшим сопротивлением.

Если при замерах переходов, сопротивление будет измеряться десятками Ом – транзистор придется выпаивать. Если шунтов нет – см. методику, описанную выше, проверить транзистор на плате не получится.

Как проверить полевой транзистор мультиметром

Полупроводниковые транзисторы – MOSFET (на слэнге радиолюбителей – «мосфеты»), имеют несколько иное расположение p-n переходов. Название выводов также отличается: «сток», «исток», «затвор». Тем не менее, методика проверки прекрасно моделируется диодными аналогиями.


Принципиальное отличие – канал между «истоком» и «стоком» в состоянии покоя имеет небольшую проводимость с фиксированным сопротивлением. Когда «мосфет» получает запирающее напряжение на «затворе», этот переход закрывается. При проверке он принимается открытым (в случае, если транзистор исправен).

Проверить полевой транзистор с помощью тестера можно по такой же методике, что и биполярный. Прибор в положение «измерение сопротивления» с пределом 2000 Ом.

Сопротивление по линии «исток» «сток» проверяется в обе стороны. Значение должно быть в пределах 400-700 Ом, и немного отличаться при смене полярности.


Линия «исток» «затвор» должна иметь проводимость с аналогичным сопротивлением, но только в одном направлении. Такая же ситуация при проверке «сток» «затвор».

Проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая из схемы можно, если нет шунтирующих деталей. Определить их наличие можно визуально. Однако, «мосфеты» обычно окружены т.н. обвесом из управляющих элементов. Поэтому их проверку лучше проводить отдельно от схемы.
P.S.
Если ваш прибор стрелочный – проверка производится также точно.
Метод проверки полевого транзистора от Чип и Дип — видео

В современной электронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой аппаратуре. При проведении ремонта мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра.

Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, находят широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры.

При ремонте аппаратов, в которых применены полевые транзисторы, у ремонтников очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с вышедшими из строя мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания.

Расположение выводов полевых транзисторов (Gate — Drain — Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными.

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно при проверке полевых транзисторов соблюдать правила безопасности. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

При проверке ПТ чаще всего пользуются обычным омметром. У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. Следует заметить, что имеются некоторые исключения. Если при проверке приложить положительный щуп тестового прибора к затвору (G) транзистора n-типа, а отрицательный — к истоку (S), зарядится емкость затвора и транзистор откроется. При замере сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Неопытные ремонтники могут принять такое поведение транзистора за его неисправность. Поэтому перед “прозвонкой” канала “сток-исток” замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор признается неисправным.

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод, поэтому канал “сток-исток” при проверке ведет себя как обычный диод. Для того чтобы избежть досадных ошибок, помните о наличии такого диода и не примите это за неисправность транзистора. Убедиться в наличии диода достаточно просто. Нужно поменять местами щупы тестера, и он должен показать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не произошло, то, скорее всего, транзистор пробит. В остальном проверка транзистора не отличается от приведенной выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

типы, режимы и инструкции, разбивка

Давайте займемся теорией, повремените убегать. Портал ВашТехник наряду с заумными сентенциями, рассчитанными быть понятыми профи, предоставит методику пяти пальцев. Не слышали? Просто, как пять пальцев. Сначала обсудим типы транзисторов, потом расскажем, что можно сделать при помощи мультиметра. Рассмотрим штатные гнезда hFE (объясним, что это такое), методику замещения схемы через соединение нескольких диодов. Расскажем, с чего начать. Поймете, как проверить транзистор мультиметром, или… Давайте, пожалуй, без «или». Приступим, чтобы твердо отличать МОП-транзистор от мопса, растолчем теорию.

Типы, классификация транзисторов

Избегаем исследовать дебри. Знайте простое правило: в биполярных транзисторах носители обоих знаков участвуют в создании выходного тока, в полевых – одного. Определение умников. Теперь работаем пальцами:

Устройство транзисторов

  1. Транзисторы полевого типа выступают началом. Когда Битлз выходили на сцену, на замену вакуумным триодам стали приходить полупроводники. Если говорить кратко, p-n-p транзистор – два богатых положительными носителями слоя кристалла (кремний, германий, примесной проводимости). Проводя уроки физики, учитель часто рассказывал, как V-валентный мышьяк легировал решетку кремния, образуя новый материала. Добавим, что положительные p-области, отгорожены узкой отрицательной (n-negative). Как ком в горле. Узкий перешеек, называемый базой, отказывается пускать электроны (в нашем случае скорее дырки) течь в нужном направлении. Небольшой отрицательный заряд появляется на управляющем электроде, дырки коллектора (верхняя p-область на традиционных электрических схемах) больше не могут сдерживаться, буквально рвутся в сторону приложенного напряжения. Поскольку база тонкая, используя набранную скорость носители пролетают перешеек, уносятся дальше — достигая эмиттера (нижняя p-область), здесь увлекаются разностью потенциалов, создаваемой напряжением питания. Типичное школьное объяснение. Относительно небольшое напряжение управляющего электрода способно регулировать скорость сильного потока дырок (положительных носителей), увлекаемого полем напряжения питания. На этом построена техника. Навстречу дыркам движутся электроны, транзисторы называют биполярными.
  2. Полевые транзисторы снабжены каналом любого типа проводимости, разделяющим области истока и стока (см. рисунок выше). Управляющий электрод называют затвором. Причем основной материал подложки, затвора противоположен каналу, истоку и стоку. Поэтому положительное напряжение (см. рисунок) запрет ход зарядам через транзистор. Плюс оттянет (в p-область) доступные электроны. Полевые транзисторы в электронике применяются намного чаще. На рисунке затвор электрически соединен с кристаллом, структура называется управляющим p-n переходом. Бывает, область изолирована от кристалла диэлектриком, в качестве которого часто выступает оксид. Чистой воды MOSFET транзистор, по-русски – МОП.

Схема проверки транзистора

При помощи мультиметра, в штатном режиме проверяются биполярные транзисторы. Если тестер поддерживает такую опцию, часто именуемую hFE, на лицевой панели смонтирован круглый разъем, поделенный вертикальной чертой на две части, где надписаны по 4 гнезда следующим образом:

  1. B – база (англ. Base).
  2. С – коллектор (англ. Collector).
  3. E – эмиттер (англ. Emitter).

Гнезд для эмиттера два, чтобы учесть раскладку выводов корпуса. База может быть с края, посередине. Для удобства сделано. Нет разницы, в какое гнездо вставить ножку эмиттера биполярного транзистора. Пара слов, как пользоваться.

Проверка биполярного транзистора мультиметром в штатном режиме

Чтобы гнездо проверки биполярных транзисторов начало работать (вести измерения), переведем тестер в режим hFE. Откуда взялись буквы? h – касается категории параметров, описывающих четырехполюсник любого типа. Не важно знать, что подразумевает понятие – просто уясним: существует целая группа h-параметров, среди которых имеется один важный занимающимся электроникой. Называется коэффициентом усиления по току с общим эмиттером. Обозначается, h31 (либо строчной греческой буквой бета).

Цифровая мнемоника плохо воспринимается человеческим глазом, поэтому было решено (за рубежом, понятное дело), что F будет обозначать прямое усиление по току (forward current amplification), тогда как E говорит, что измерение велось в схеме с общим эмиттером (которая применяется учебниками физики для иллюстрации принципов работы транзисторов биполярного типа). Схем включения много, каждая обладает достоинствами, параметры можно охарактеризовать через h31 (некоторые другие, упомянутые справочниками). Считается, если коэффициент усиления в норме, радиоэлемент 100% работоспособен. Теперь читатели знают, как проверяется p-n-p транзистор или n-p-n транзистор.

h31 зависит от некоторых параметров, указываемых инструкцией мультиметра. Напряжение питания 2,8 В, ток базы 10 мА. Дальше берутся графики технической документации (data sheet) транзистора, профессионал знает, как найти остальное. При включении режима hFE, подсоединении ножек биполярного транзистора в нужные гнезда на дисплее появляется значение коэффициента усиления прибора по току. Потрудитесь сопоставить справочным данным, сделав поправку на режим измерения (если понадобится). Только звучит сложно, достаточно пару раз сделать самостоятельно, добьетесь результатов.

Проверка транзисторов мультиметром: нештатный режим

Допустим, вызывает сомнение исправность транзистора полевого типа. Известный русский вопрос в электронике присутствует. Начинают думать… м-да.

  • Полевой транзистор отпирается или запирается определенным знаком напряжения. Обсуждали выше. Если помните, говорили, при прозвонке на щупах тестера небольшое постоянное напряжение. Будем использовать в наших тестах. Пока транзистор на плате, сложно сделать измерения, стоит изъять из привычного окружения, как можно применить нестандартные методики. Оказывается, если приложить на электрод отпирающее напряжение, за счет некоторой собственной емкости транзистора область зарядится, сохраняя приобретенные свойства. Допускается прозвонить электроды между истоком и стоком. Сопротивление порядка 0,5 кОм покажет: полевой транзистор работоспособен. Стоит закоротить базу с другими отводами, проводимость исчезнет. Полевой транзистор закрылся и годен.
  • Биполярные транзисторы, полевые с управляющим p-n переходом проверяют гораздо проще. В первом случае применяется схема замещения элемента двумя диодами, включенными навстречу (или наоборот спинками). Подадим отпирающее напряжение (p – плюс, n – минус), получив на измерителе сопротивления номинал 500 – 700 Ом. Можно также звонить, пользуясь слухом. Недаром на шкале часто нарисован диод. Прозвонка используется для проверки работоспособности. Напряжения хватает открыть p-n-переход.

Подготовка к проверке транзистора

Временами схватишь руками составной транзистор. Внутри корпуса находиться несколько ключей. Используется для экономии места при одновременном увеличении коэффициента усиления (причем в десятки, тысячи раз, если речь шла о каскадной схеме). Устроен так транзистор Дарлингтона. В корпус зашит защитный стабилитрон, предохраняющий переход эмиттер-база от перегрузки по напряжению. Тестирование идет одним путем:

  • Нужно найти подробные технические характеристика транзистора (составного элемента). При нынешнем масштабе компьютеризации не составит проблемы. Даже если изделие импортное. Обозначения на схемах понятные, термины не сложные. Параметр hFE расписали.
  • Затем ведется изучение, выполняется анализ. Разбиение схемы на более простые составляющие. Если между переходами коллектора и эмиттера включен стабилитрон, логично начать проверку с него. В начальный момент транзистор заперт, ток мультиметра пойдет, минуя защитный каскад. В одном направлении стабилитрон даст сопротивление 500-700 Ом, в другом (если не пробьется) будет обрыв. Аналогично разобьем на части транзистор Дарлингтона, если имеете представление (обсуждали выше).

Режим прозвонки покажет цифры. Говорят, падение напряжения, по некоторым сведениям, номинал сопротивления. Потрудимся привести опыты, решая вопрос. Вызвонить известный по значению сопротивления, заведомо исправный резистор. Если на экране появится номинал в омах, думать нечего. В противном случае можно оценить заодно ток (разделив потенциал дисплея на номинал). Знать тоже нужно, пригодится в процессе тестирования. До начала работ рекомендуется хорошенько изучить мультиметр. Достаньте инструкцию из мусорной корзины, прочитайте.

Народ интересуется вопросом, можно ли проверить транзистор мультиметром, не выпаивая. Очевидно, многое определено схемой. Тестер просто прикладывает напряжения, оценивает возникающие токи. На основе показаний вычисляется коэффициент усиления, служа критерием годности/негодности. Попробуйте проверить полевой транзистор мультиметром из входящих в состав процессора! Отбрось надежду всяк сюда входящий. Не всегда можно прозвонить полевой транзистор мультиметром.

Разбить биполярный транзистор на диоды

Рисунок, представленный среди текста, демонстрирует схему замещения транзистора двумя диодами. Позволит рассматривать усилительный элемент, представив суммой двух независимых более простых. Не обладающих усилением, проявляющих нелинейные свойства (неодинаковость прямого/обратного включения).

Мощные транзисторы силовых цепей бессилен открыть скудными силами мультиметр. Поэтому для тестирования устройств применяются специальные схемы. Нельзя проверить биполярный транзистор мультиметром напрямую.

Проверка диода

Проверка условных диодов, замещающих транзистор

Методик несколько. Можно попробовать измерить сопротивление стандартной шкалой Ω. Красный щуп нужно прикладывать к p-области. Тогда дисплей мультиметра покажет цифру, меньшую бесконечности. В противоположном направлении результат будет нулевым. Мультиметр покажет обрыв. Нормальные результаты прозвонки диода.

Если пользоваться специальным режимом, экран показывает размер сопротивления в прямом направлении, обрыв (стандартно единичка в левом углу ЖК-экрана) в другом. Обратите внимание – рисунок содержит поясняющие надписи, куда прислонять щуп, получая открытый p-n переход. В обратном направлении прибор показывает обрыв.

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

  1. Радиоэлектроника
  2. Схемотехника
  3. Основы электроники и схемотехники
  4. Том 3 – Полупроводниковые приборы
  1. Книги / руководства / серии статей
  2. Основы электроники и схемотехники. Том 3. Полупроводниковые приборы

Добавлено 10 апреля 2018 в 13:11

Сохранить или поделиться

Тестирование полевого транзистора (JFET) с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, поскольку может показаться, что в нем для проверки есть только один PN переход: измеряется либо между затвором и истоком, либо между затвором и стоком.

Оба мультиметра показывают непроводимость (высокое сопротивление) перехода затвор-каналОба мультиметра показывают проводимость (низкое сопротивление) перехода затвор-канал

Тем не менее, еще одна задача – это тестирование целостности канала сток-исток. Помните, как упоминалось в последнем разделе, как заряд, сохраненный емкостью PN перехода затвор-канал, может удерживать полевой транзистор в закрытом состоянии без прикладывания внешнего напряжения? Это может произойти, даже когда вы держите полевой транзистор в руке, чтобы проверить его! Следовательно, любые показания мультиметра при проверке целостности этого канала будут непредсказуемыми, так как вы точно не знаете, сохранен ли на переходе затвор-канал заряд. Конечно, если вы заранее знаете, какие выводы на устройстве являются затвором, истоком и стоком, вы можете подклюить перемычку между затвором и истоком, чтобы устранить любой сохраненный заряд, а затем без проблем приступить к проверке целостности канала исток-сток. Однако, если вы не знаете, где какой вывод, непредсказуемость соединения исток-сток может запутать вас при определении назначения выводов.

Хорошей стратегией, которой следует придерживаться при тестировании полевого транзистора, является вставка выводов транзистора непосредственно перед тестированием в антистатический пенопласт (материал, используемый для доставки и хранения чувствительных электронных компонентов). Проводимость пенопласта будет обеспечивать резистивное соединение между всеми выводами транзистора, когда они будут вставлены в него. Это соединение гарантирует, что всё остаточное напряжение на PN переходе затвор-канал будет нейтрализовано, таким образом, «открывая» канал для точной проверки мультиметром целостность соединения исток-сток.

Поскольку канал полевого транзистора представляет собой единый, непрерывный полупроводниковый материал, обычно нет разницы между выводами истока и стока. Проверка сопротивления от истока к стоку должна давать то же значение, что и проверка от стока к истоку. Это сопротивление должно быть относительно низким (максимум несколько сотен ом) при напряжении на PN переходе затвор-исток, равном нулю. При прикладывании напряжения обратного смещения между затвором и истоком закрытие канала должно быть видно по значению увеличившегося сопротивления на мультиметре.

Оригинал статьи:

Теги

PN переходМультиметрОбучениеПолевой транзисторЭлектроника

Сохранить или поделиться

На сайте работает сервис комментирования DISQUS, который позволяет вам оставлять комментарии на множестве сайтов, имея лишь один аккаунт на Disqus.com.

В случае комментирования в качестве гостя (без регистрации на disqus.com) для публикации комментария требуется время на премодерацию.


Проверить транзистор мультиметром прозвонкой на исправность: биполярный, полевой, составной

Любая электронная схема состоит из полупроводниковых элементов. Наиболее распространённые из них транзисторы. Хотя в последнее время выпускаемые элементы отличаются надёжностью, но всё же нарушения в работе электронных устройств могут привести к повреждению полупроводника.

Перед тем как проверить транзистор мультиметром, необязательно выпаивать его из схемы, но для получения точных результатов лучше это сделать.

Принцип работы и виды транзисторов

Транзисторы — это полупроводниковые приборы, служащий для преобразования электрических величин. Основное их применение заключается в усилении сигнала и способность работать в режиме ключа. Они выпускаются с тремя и более выводами. Существует три вида приборов:

  • биполярные;
  • полевые;
  • биполярные транзисторы с изолированным затвором.

Бывает ещё составной транзистор. Он подразумевает электрическое объединение в одном корпусе нескольких приборов одного типа. Такие сборки называются парой Дарлингтона и Шиклаи, также имеют три вывода.

Биполярное устройство

Разделяются по своему типу. Выпускаются как электронного, так и дырочного типа проводимости. В своей конструкции используют n-p или p-n переход. Дырочного типа транзисторы состоят из двух крайних областей p проводимости, и средней n проводимости. Электронного типа наоборот. Средняя зона называется базой, а примыкающие к ней области коллектором и эмиттером. Каждая зона имеет свой вывод.

Промежуток между граничащими переходами очень мал, не превышает микрометры. При этом содержание примесей в базе меньше, чем их количество в других зонах прибора. Графически биполярный прибор обозначается для PNP стрелкой внутрь, а NPN стрелкой наружу, что показывает направление тока.

Перед тем как проверить биполярный транзистор мультиметром, нужно понимать, какие физические процессы происходят в приборе. Основа работы устройства лежит в способности p-n перехода пропускать ток в одном направлении. При подаче питания на одном переходе возникает прямое напряжение, а на другом обратное. Область перехода с прямым напряжением имеет малое сопротивление, а с обратным — большое.

Принцип работы заключается в том, что прямой сигнал влияет на токи эмиттера и коллектора. При увеличении величины прямого сигнала возрастает ток в области прямого подключения. Носители заряда перемещаются в зону базы, что приводит к увеличению тока и в обратной области подключения. Возникает объёмный заряд и электрическое поле, способствующее втягиванию в зону обратного подключения заряда другого знака. В базе происходит частичное уничтожение зарядов противоположного знака, процесс рекомбинации. Благодаря чему и возникает ток базы.

Эмиттером называется область прибора, служащая для передачи носителей заряда в базу. Коллектором называют зону, предназначенную для извлечения носителей заряда из базы. А база — это область для передачи эмиттером противоположной величины заряда. Основной характеристикой прибора является вольт-амперная характеристика. На схеме элемент обозначается латинскими буквами VT или Q.

Полевой прибор

Полевые транзисторы были изобретены в 1952 году. Основное их достоинство в высоком входном сопротивлении по сравнению с биполярными приборами. Такие элементы часто называются униполярными или мосфетами. Разделяют их по способу управления, на транзисторы с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.

Полевой транзистор выпускается с тремя выводами, один из них управляющий, называемый затвор. Другой исток, соответствующий эмиттерному выводу в биполярном приборе, и третий сток, вывод с которого снимается сигнал. В каждом типе устройства есть транзисторы с n-каналом и p-каналом.

Работа прибора с управляющим каналом, например, n-типа, основана на следующем принципе. Источник питания, подключённый к прибору, создаёт на его переходе обратное напряжение. Если уровень входного сигнала изменяется, то изменяется и обратное напряжение. Это приводит к тому, что меняется площадь, через которую протекают основные носители заряда. Такая площадь называется каналом. Полевые транзисторы изготавливаются методом сплавления или диффузией.

Мосфет с изолированным затвором представляет собой металлический канал, отделённый от полупроводникового слоя диэлектриком. Общепринятое название прибора — MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor).

Основанием элемента служит пластинка из кремния с дырочной электропроводностью. В ней создаются области с электронной проводимостью, соответственно образующие исток и сток. Такой мосфет работает в режиме обеднения или обогащения. В первом случае на затвор подаётся напряжение относительно истока отрицательного значения, из канала выдавливаются электроны, и ток истока уменьшается. Во втором режиме, наоборот, ток увеличивается из-за втягивания новых носителей заряда.

Транзистор с индуцированным каналом, открывается при возникновении разности потенциалов между затвором и истоком. Для полевика с p-каналом к затвору прикладывается отрицательное напряжение, а с n-каналом положительное. Особенность мощных транзисторов состоит в том, что вывод истока соединяется с корпусом прибора. При этом соединяется база с эмиттером. Такое соединение образует диод, который в закрытом состоянии не влияет на работу прибора.

Биполярный тип с изолированным затвором

Устройства такого типа называются IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Это сложный прибор, в котором, например, полевой n-канальный транзистор управляется биполярным устройством типа PNP.

К эмиттеру биполярного транзистора подключается коллектор мосфета. Если на затвор подаётся напряжение положительной величины, то между эмиттером и базой транзистора возникает проводящий канал. В результате транзистор IGBT отпирается, падение напряжения на PN переходе уменьшается. Когда значение напряжения увеличивается, то пропорционально увеличивается и ток канала в базе биполярного прибора, а падение напряжения на IGBT транзисторе уменьшается. Если полевой транзистор заперт, то и ток биполярного прибора будет почти нулевым.

Как пользоваться цифровым мультиметром

Для того чтобы провести измерения, тестер подключается набором проводов к измеряемому элементу. На одном конце каждого из проводов находится штекер, предназначенный для установки в гнездо измерителя, а на другом — контактный щуп. Порядок измерения электронным мультиметром в общем виде можно представить в виде следующих действий:

  1. Включить устройство, нажав на кнопку ON/OFF.
  2. Вставить штекера проводов в соответствующие гнёзда на панели. COM — общее гнездо для подключения щупа. V/Ω — положительное гнездо для подключения щупа.
  3. Поворотный выключатель установить в положение диодной прозвонки «o)))».
  4. Прижать измерительные щупы к выводам прибора.
  5. Снять показания с экрана.

Кроме метода прозвонки, если позволяет тестер, можно провести измерения полупроводникового элемента установив переключатель в положение hFE. В таком случае провода и щупы не понадобятся. Но этот метод подходит только для биполярных приборов.

Проверка биполярного прибора тестером

Проверку прибора можно осуществить двумя способами. Для этого в тестере используется режим прозвонки или специально предназначенный режим проверки биполярных транзисторов.

На начальном этапе выясняется тип проводимости элемента. Для этого можно воспользоваться справочником или вычислить путём прозвонки. База вычисляется методом перебора. Щуп с общего вывода тестера подключается к одному из выводов транзистора, а щуп со второго вывода по очереди прикасается к двум оставшимся ножкам радиоэлемента. При этом смотрится какую величину сопротивления показывает тестер.

Необходимо найти такое положение, чтоб величина значения сопротивления между выводами составляла бесконечность. На цифровом тестере в режиме прозвонки будет гореть единица. Если такое положение не найдено, следует зафиксировать щуп второго вывода, а щупом с общего выхода осуществлять перебор.

Когда требуемая комбинация будет достигнута, то вывод, по отношению которого измеряется сопротивление, будет базой. Для вычисления выводов коллектора и эмиттера понадобится: в случае pnp транзистора на вывод базы — подать отрицательное напряжение, а для npn — положительное. Сопротивление перехода эмиттер — база будет немного больше, чем база-коллектор.

Например, исследуя биполярный низкочастотный транзистор NPN типа MJE13003, который имеет последовательность выводов база, коллектор, эмиттер, понадобится:

  1. Переключить мультиметр в режим прозвонки.
  2. Стать положительным щупом на базу прибора.
  3. Вторым концом прикоснуться к коллектору прибора, сопротивление должно быть около 800 Ом.
  4. Второй конец переставить на эмиттер прибора, сопротивление должно составить 820 Ом.
  5. Поменять полярность. На базу стать отрицательным щупом, а к коллектору и эмиттеру прикоснуться поочерёдно вторым концом. Сопротивление должно быть бесконечным.

Если во время проверки все пункты выполняются верно, то транзистор исправен. В ином случае, при возникновении короткого замыкания между любыми переходами, или обрыва в обратном включении, делается вывод о неисправности транзистора. Проверка прибора обратной проводимости проводится аналогичным образом, лишь меняется полярность приложенных щупов. Таким способом можно проверить транзистор мультиметром, не выпаивая его, так и сняв с платы.

Второй способ измерения при использовании современного мультиметра, позволит не только проверить исправность полупроводникового прибора, но и определить коэффициент усиления h31. В зависимости от типа и вида, ножки транзистора совмещаются с соответствующими надписями на гнезде, обозначенном также hFE. При включении прибора на экране появится цифра, обозначающая коэффициент усиления транзистора. Если цифра определяется равной нулю, то такой транзистор работать не будет, или же неправильно определена его проводимость.

Определение целостности полевого радиоэлемента

Такой тип электронного прибора не получится проверить без выпайки из схемы. Способ проверки как для n-канального, так и для p-канального, а также IGBT вида, одинакова. Разница лишь в полярности, прикладываемой к выводам. Например, исправность F3NK80Z n-канального прибора выясняется по следующему алгоритму:

  1. Мультиметр переключается в режим прозвонки.
  2. Щуп общего провода прикасается к стоку прибора, а положительный — к истоку.
  3. Щуп переставляется с истока на затвор. Переход в транзисторе откроется.
  4. Возвращаем щуп на исток. Значение сопротивления должно быть маленьким, прибор, если у него есть звуковая прозвонка, запищит.
  5. Для закрытия прибора щуп общего провода соединяется с затвором, при этом положительный щуп с истока не снимается.
  6. Устанавливается положения щупов согласно первому пункту.

Для проверки p-типа проводимости последовательность операций остаётся такой же, за исключением полярности щупов, которая меняется на обратную.

Для мощных полевых приборов может случиться так, что напряжения тестера не хватит для его открытия. Так как прозвонить такой полевой транзистор мультиметром не удастся, понадобиться применить дополнительное питание. В таком случае в разрыв через сопротивление 1–2 кОм подаётся постоянное напряжение равное 12 вольт.

Существуют такие радиоэлементы, например, КТ117а, имеющие две базы. Их относят к однопереходным приборам. В современных устройствах они не получил широкого применения, но порой встречаются. У них нет коллектора.

Такие транзисторы тестером проверяются только на отсутствие короткого замыкания между выводами. Убедиться в его работе можно воспользовавшись схемой генератора.

Тестирование составного полупроводника

Такой элемент по своей конструкции напоминает микросхему. Так как проверить микросхему на работоспособность мультиметром практически невозможно, так нельзя и проверить составной прибор, используя только тестер. Для тестирования понадобится собрать несложную схему.

В ней применяется источник постоянного напряжения 10−14 вольт. Нагрузкой цепи служит лампочка. В качестве резистора используется элемент мощностью 0,25 Вт. Его сопротивление рассчитывается по формуле h31*U/I, где:

  • h31— коэффициент усиления;
  • U — напряжение источника питания;
  • I — ток нагрузки.

Для проверки на базу подаётся положительный сигнал от источника питания. Лампочка светится. При смене полярности лампочка гаснет. Такое поведение говорит о работоспособности прибора.

Таким образом, узнав, как прозвонить транзистор мультиметром, можно легко вычислить неисправный элемент в схеме, даже его не выпаивая.

Originally posted 2018-04-06 09:11:12.

-метровая проверка транзистора (JFET) | Переходные полевые транзисторы

Тестирование полевого транзистора JFET с помощью мультиметра может показаться относительно простой задачей, учитывая, что у него есть только один PN-переход для тестирования: либо измеренный между затвором и истоком, либо между затвором и стоком.

Проверка непрерывности N-канального JFET

Однако проверка непрерывности канала сток-исток — это другое дело. Помните из предыдущего раздела, как накопленный заряд на емкости PN-перехода затвор-канал может удерживать JFET в пережатом состоянии без приложения к нему какого-либо внешнего напряжения? Это может произойти, даже если вы держите JFET в руке, чтобы проверить его! Следовательно, любое показание измерителя непрерывности через этот канал будет непредсказуемым, поскольку вы не обязательно знаете, накапливается ли заряд соединением затвор-канал.Конечно, если вы заранее знаете, какие клеммы на устройстве являются затвором, истоком и стоком, вы можете подключить перемычку между затвором и истоком, чтобы устранить накопленный заряд, а затем без проблем приступить к проверке непрерывности исток-сток. Однако, если вы не знаете, какие терминалы какие, непредсказуемость соединения исток-сток может запутать ваше определение идентичности терминала.

Стратегия тестирования JFET

Хорошей стратегией при тестировании JFET является вставка выводов транзистора в антистатическую пену (материал, используемый для транспортировки и хранения чувствительных к статическому электричеству электронных компонентов) непосредственно перед тестированием.Проводимость пены создаст резистивное соединение между всеми клеммами транзистора, когда он вставлен. Это соединение гарантирует, что все остаточное напряжение, накопленное на PN-переходе затвор-канал, будет нейтрализовано, тем самым «открывая» канал для точного измерения непрерывности исток-сток.

Поскольку канал JFET представляет собой единый непрерывный кусок полупроводникового материала, между клеммами истока и стока обычно нет разницы. Проверка сопротивления от истока к стоку должна дать то же значение, что и проверка от стока к истоку.Это сопротивление должно быть относительно низким (не более нескольких сотен Ом), когда напряжение PN-перехода затвор-исток равно нулю. При подаче напряжения обратного смещения между затвором и истоком отключение канала должно быть заметно по увеличенному показанию сопротивления на измерителе.

СВЯЗАННЫЕ РАБОЧИЕ ЛИСТЫ:

Как проверить полевой транзистор?

Полевые транзисторы

( ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР ) являются устройствами с основными носителями заряда. Устройство состоит из активного канала, по которому большинство носителей заряда, электронов или дырок, текут от истока к стоку.Проводники выводов истока и стока подключаются к полупроводнику через омические контакты. Проводимость канала зависит от потенциала, приложенного к клеммам затвора и истока.

Три терминала полевого транзистора являются источником (S), через которые в канал поступают основные несущие. Обычный ток, входящий в канал в точке S, обозначается I S  Слив (D), через который большинство носителей покидают канал. Условный ток, поступающий в канал в точке D, обозначается I D .Напряжение сток-исток составляет V DS . Ворота (G), терминал, который модулирует проводимость канала. Подачей напряжения на G можно управлять I D . Полевой транзистор с выводом истока S, выводом затвора G и соединением стока D.
Путь тока проходит от истока к стоку через полупроводниковый материал, этот путь называется каналом. В N-канальном полевом транзисторе носителями являются электроны. Источник подключается к минусу питания, а сток к плюсу. Затворы P-типа формируются на канале N-типа, обеспечивая PN-переходы.Когда эти соединения получают обратное смещение, области, окружающие их, освобождаются от электронных носителей. Эти «области обеднения» уменьшают ширину канала носителей, как в B. В результате происходит падение прохождения носителей тока от Истока к Сливу.
Увеличение смещения приводит к расширению обедненных областей и уменьшению размера канала, что еще больше снижает ток. В конце концов ворота можно сделать настолько отрицательными, что канал будет практически закрыт. Это область отсечки, и ток практически равен нулю.Таким образом, ток от истока к стоку и через элементы внешней цепи можно контролировать, регулируя напряжение затвора. Поскольку область перехода затвор-канал смещена в обратном направлении, ток затвора чрезвычайно мал, и поэтому входное сопротивление затвора очень велико. Как правило, ток затвора пренебрежимо мал.                  

КАК ПРОВЕРИТЬ FET В РЕЖИМЕ ДИОДА?

ШАГ-1.
  • Подсоедините положительный измерительный провод цифрового мультиметра к GATE
  • .
  • ……………Цифровой мультиметр Отрицательный измерительный провод к СЛИВУ На дисплее отображается 0.715в
  • ……………Цифровой мультиметр Отрицательный измерительный провод  к ИСТОЧНИКУ = на дисплее отображается 0,703 В
ШАГ-2.
  • Подключите цифровой мультиметр Отрицательный измерительный провод к GATE
  • …………..DMM  положительный измерительный провод t o DRAIN    OL  DMM READING ( OL ОЗНАЧАЕТ ПЕРЕГРУЗКУ).
  • …………..DMM   положительный тестовый провод  к ИСТОЧНИКУ OL

ШАГ-3.

  • Положительный тестовый провод цифрового мультиметра к DRAIN
  • DMM Отрицательный тестовый провод – SOURCE DISPLAY READING 0.090В
  • Цифровой мультиметр  Отрицательный щуп для СЛИВА   OL  DMM READING ( OL ОЗНАЧАЕТ ПЕРЕГРУЗКУ)
  • Цифровой мультиметр Положительный тестовый провод к ИСТОЧНИКУ ПОКАЗАНИЙ 0,090 В или (090 мВ)

Подключите отрицательный провод цифрового мультиметра к экрану

  • Цифровой мультиметр   Положительный тестовый провод к GATE       открыт или открыт или ‘1’
  • Цифровой мультиметр  положительный тестовый провод для СЛИВА      OL  ЧТЕНИЕ DMM (OL ОЗНАЧАЕТ ПЕРЕГРУЗКУ)
  • Положительный тестовый провод цифрового мультиметра к ИСТОЧНИКУ OL

Проверка:  Если показания цифрового мультиметра выше показывают, что состояние ХОРОШЕЕ.
Проверка:   Если показания при прямом смещении равны 0000 или OL или 1, а при обратном смещении — как 0000 (или) низкие значения, полевой транзистор может быть НЕИСПРАВЕН и нуждается в замене.

Тестирование полевых МОП-транзисторов — проверка утечки и отказа полевых транзисторов

Советы по тестированию полевых транзисторов — проверка полевых транзисторов с помощью аналогового мультиметра

 

Правильный способ проверки МОП-транзистора — использовать аналоговый мультиметр.Стенд Mosfet для полупроводникового поля оксида металла транзистор с эффектом или мы просто назвали его ФЭТ. Импульсный источник питания и многие другие схемы используют полевые транзисторы как часть схемы. Отказ MOSFET и утечка в цепи довольно высоки, и вам нужно знать, как точно проверить Это.

 

Измерительные компоненты с двумя выводами, такие как резисторы, измерять конденсаторы и диоды гораздо проще, чем измерять транзисторы и полевые транзисторы, которые имеют три ножки.Многие мастера по ремонту электроники испытывают трудности особенно проверка компонентов трех выводов. Во-первых, узнайте распиновку затвора, стока и истока из книги по замене полупроводников или найдите его техническое описание в поисковой системе.

 

Если у вас есть перекрестная ссылка или схема для каждого контакта mosfet, затем используйте свой аналоговый мультиметр, настроенный на диапазон, умноженный на 10 кОм, чтобы проверить его. Предполагая, что вы тестируете n-канальный MOSFET, поместите черный щуп к сливному штифту.

 

Коснитесь штифта затвора красным щупом, чтобы разрядить все внутренние емкость мосфета. Теперь переместите красный щуп к истоку, в то время как черный щуп все еще касается стокового вывода. Используйте правый палец и коснитесь затвора и сливного штифта вместе, и вы заметите, что аналоговая стрелка мультиметра переместится вперед к центральному диапазону измерительного прибора. масштаб.

 

 

 

 

Прикоснитесь пальцем к заслонке и сливному штифту.

 

Снятие красного щупа с вывода источника и установка его обратно в исходный контакт, указатель по-прежнему будет оставаться в середине шкалы измерителя. Чтобы разрядить его, вы должны поднять красный щуп и коснуться всего один раз на булавке ворот. Это в конечном итоге снова разрядит внутреннюю емкость.

 

В это время используйте красный щуп, чтобы снова коснуться контакта источника, Указатель вообще не дернется, потому что вы уже разрядили его, коснувшись штифта затвора.Это хорошая характеристика MOSFET. Вы вам нужно больше практиковаться, взяв немного со скамейки или из отсека вашего компонента. Как только вы узнаете секреты, тестируйте другие мосфеты так же просто, как проверить диод.


Если вы заметили, что все результаты, которые вы измерили, сдвинулись в сторону нуля Ом и не разряжаются, тогда полевой транзистор считается закороченным и нуждается в замене. Проверка полевого транзистора P канала fet точно такая же, как и при проверке N-канальный фет.Что вы делаете, так это переключаете полярность датчика при проверке канала P. Некоторые аналоговые мультиметры имеют диапазон раз 100 кОм, этот тип измерителя не может реально проверить электроэнергию из-за отсутствия 9-вольтовой батареи внутри мультиметра. Этот тип счетчика не будет иметь достаточно мощности, чтобы вызвать MOSFET. Убедитесь, что вы используете глюкометр с селектор диапазона раз 10 кОм.

 

Типичные номера деталей N-канальных MOSFET: 2SK791, K1118, IRF634, IRF. 740 и P-канальный полевой транзистор с номером детали J307, J516, IRF 9620 и т. д.Вы также можете получить тестер MOSFET на рынке и один из Известным брендом является портативный суперкрикетный транзистор sencore tf46 и фетальный тестер. Вы можете сделать ставку на Ebay.

 

Тестер транзисторов и полевых транзисторов Sencore TF46

 

 

 

 


 

 

Как проверить мощный транзистор тестером.Как проверить разные типы транзисторов мультиметром? Проверка цифровых транзисторов

Транзистор — полупроводниковый прибор, основное назначение которого — использование в схемах для усиления или формирования сигналов, а также для электронных ключей.

В отличие от диода, транзистор имеет два p-n перехода, соединенных последовательно. Между переходами имеются зоны с разной проводимостью (типа «n» или типа «p»), к которым подключаются клеммы для подключения.Выход из средней зоны называется «базой», а из крайних — «коллектором» и «эмиттером».

Отличие «n»- и «р-зоны» в том, что в первой есть свободные электроны, а во второй — так называемые «дырки». Физически «дырка» означает отсутствие электрона в кристалле. Электроны под действием поля, создаваемого источником напряжения, переходят от минуса к плюсу, а «дырки» — наоборот. Когда области с разной проводимостью соединяются друг с другом, электроны и «дырки» диффундируют, и на границе перехода образуется область, называемая p-n-переходом.За счет диффузии область «n» заряжается положительно, а «p» — отрицательно, а между областями с разной проводимостью возникает собственное электрическое поле, сосредоточенное в области р-n-перехода.

При подключении плюсовой клеммы источника к области «р», а минусовой — к «n», его электрическое поле компенсирует собственное поле p-n-перехода, и через него проходит электрический ток. При обратном подключении поле от источника питания добавляется к своему, увеличивая его.Соединение закрыто, и ток через него не течет.

Транзистор имеет два перехода: коллектор и эмиттер. Если подключить блок питания только между коллектором и эмиттером, то ток через него течь не будет. Один из проходов заперт. Для его открытия на базу подается потенциал. В результате в участке коллектор-эмиттер возникает ток, в сотни раз превышающий ток базы. Если при этом ток базы изменяется во времени, то ток эмиттера в точности его повторяет, но с большей амплитудой.Этим и обусловлены усиливающие свойства.

В зависимости от сочетания чередования зон проводимости различают p-n-p или n-p-n транзисторы. Транзисторы p-n-p открываются при положительном потенциале на базе, а n-p-n при отрицательном.

Рассмотрим несколько способов, как проверить транзистор мультиметром.

Проверка транзистора омметром

Поскольку транзистор содержит два p-n-перехода, их исправность можно проверить методом, применяемым для проверки полупроводниковых диодов.Для этого его можно представить как эквивалент встречного включения двух полупроводниковых диодов.

Критериями исправности для них являются:

  • Низкое (сотни Ом) сопротивление при подключении источника постоянного тока в прямом направлении;
  • Бесконечное сопротивление при подключении источника постоянного тока в обратном направлении.

Мультиметр или тестер измеряет сопротивление, используя собственный вспомогательный источник питания — батарею. Его напряжение невелико, но его достаточно для открытия p-n-перехода.Меняя полярность подключения щупов от мультиметра к рабочему полупроводниковому диоду, в одном положении получаем сопротивление сто Ом, а в другом — бесконечно большое.

Полупроводниковый диод бракован если

  • в обе стороны прибор покажет обрыв или ноль;
  • в обратном направлении прибор покажет любое значимое значение сопротивления, но не бесконечность;
  • показания счетчика будут нестабильными.

При проверке транзистора требуется шесть замеров сопротивления мультиметром:

  • база-эмиттер прямой;
  • Базовый коллектор прямой;
  • база-эмиттер реверс;
  • база-коллектор реверс;
  • эмиттер-коллектор прямой;
  • эмиттер-коллектор реверс.

Критерий исправности при измерении сопротивления участка коллектор-эмиттер — обрыв (бесконечность) в обе стороны.

Коэффициент усиления транзистора

Существует три схемы подключения транзистора к усилительным каскадам:

  • с общим эмиттером;
  • с общим коллектором;
  • с общей базой.

Все они имеют свои особенности, и самая распространенная схема — с общим эмиттером.Любой транзистор характеризуется параметром, определяющим его усилительные свойства, — коэффициентом усиления. Он показывает, во сколько раз ток на выходе схемы будет больше, чем на входе. Каждая из схем коммутации имеет свой коэффициент, который различен для одного и того же элемента.

В справочниках приводится коэффициент h31э — коэффициент усиления для схемы с общим эмиттером.

Как проверить транзистор измерением коэффициента усиления

Одним из методов проверки исправности транзистора является измерение его коэффициента усиления h31э и сравнение с паспортными данными.В справочниках указан диапазон, в котором может находиться измеренное значение для данного типа полупроводникового прибора. Если измеренное значение находится в пределах диапазона, то все в порядке.

Измерение коэффициента усиления также выполняется для выбора компонентов с такими же параметрами. Это необходимо для создания некоторых цепей усилителя и генератора.

Для измерения коэффициента h31e мультиметр имеет специальный предел измерения, обозначенный hFE. F означает «вперед», а «E» — общий эмиттер.

Для подключения транзистора к мультиметру на его передней панели установлен универсальный разъем, контакты которого обозначены буквами «EVCE». По этой маркировке соединяются выводы транзистора эмиттер-база-коллектор или база-коллектор-эмиттер в зависимости от их расположения на той или иной детали. Чтобы определить правильное расположение штифтов, придется воспользоваться справочником; заодно там же можно узнать и выигрыш.

Затем подключаем транзистор к разъему, выбрав предел измерения мультиметра hFE.Если его показания соответствуют эталонным значениям – проверяемый электронный блок исправен. Если нет, или прибор показывает что-то непонятное, транзистор вышел из строя.

Полевой транзистор

Полевой транзистор отличается от биполярного по принципу действия. Внутри кристаллической пластины одной проводимости («р» или «n») посередине врезан участок с другой проводимостью, называемый затвором. По краям кристалла соединены выводы, называемые истоком и стоком.При изменении потенциала на затворе изменяется величина проводящего канала между стоком и истоком и ток через него.

Входное сопротивление полевого транзистора очень велико, в результате чего он имеет большой коэффициент усиления по напряжению.

Как проверить полевой транзистор

Рассмотрим проверку на примере полевого транзистора с n-каналом. Порядок действий будет следующим:

  1. Переводим мультиметр в режим прозвонки диодов.
  2. Подключаем плюсовую клемму от мультиметра к истоку, минусовую клемму к стоку. Прибор покажет 0,5-0,7 В.
  3. Меняем полярность подключения на противоположную. Устройство покажет обрыв цепи.
  4. Открываем транзистор, подключив минусовой провод к истоку, а плюсовым коснувшись затвора. Благодаря наличию входной емкости элемент некоторое время остается открытым, и это свойство используется для проверки.
  5. Перемещаем плюсовой провод на сток. Мультиметр покажет 0-800 мВ.
  6. Измените полярность подключения. Показания счетчика не должны измениться.
  7. Замыкаем полевой транзистор: плюсовой провод к истоку, минусовой к затвору.
  8. Повторяем пункты 2 и 3, ничего не должно измениться.
Содержание:

В электронике и радиотехнике большое значение имеет не только правильная сборка схемы, но и последующая проверка ее работоспособности.Можно проверить все устройство или его отдельные элементы. В связи с этим часто возникает вопрос, как проверить транзистор мультиметром, не нарушая цепи. Существуют различные методы, которые применяются индивидуально к каждому типу элемента. Перед началом такой проверки и тестирования рекомендуется изучить общее устройство и.

Основные типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов — биполярные и полевые. В первом случае выходной ток создается с участием носителей обоих знаков (дырок и электронов), а во втором случае только одного.Определить неисправность каждого из них поможет прозвонка транзистора мультиметром.

Биполярные транзисторы по существу являются полупроводниковыми устройствами. Они оснащены тремя выводами и двумя p-n-переходами. Принцип действия этих устройств предполагает использование положительных и отрицательных зарядов — дырок и электронов. Протекающие токи контролируются с помощью специального управляющего тока. Эти устройства широко используются в электронных и радиотехнических схемах.

Биполярные транзисторы состоят из трехслойных полупроводников двух типов — «п-п-п» и «п-п-п». Кроме того, в конструкции предусмотрено два p-n-перехода. Полупроводниковые слои соединены с внешними выводами через невыпрямляющие полупроводниковые контакты. Средний слой считается базой, которая подключается к соответствующему штырю. Два слоя, расположенные по краям, также соединены с выводами — эмиттер и коллектор. На электрических схемах для обозначения эмиттера используется стрелка, показывающая направление тока, протекающего через транзистор.

В разных типах транзисторов дырки и электроны — переносчики электричества — могут выполнять свои функции. Самый распространенный тип – п-п-п из-за наилучших параметров и технических характеристик. Ведущую роль в таких устройствах играют электроны, которые выполняют основные задачи по обеспечению всех электрических процессов. Они примерно в 2-3 раза более подвижны, чем норы, поэтому обладают повышенной активностью. Качественные улучшения устройств происходят и за счет площади коллекторного перехода, которая значительно больше площади эмиттерного перехода.

Каждый биполярный транзистор имеет два p-n перехода. При проверке транзистора мультиметром он позволяет проверить работоспособность приборов, контролируя значения сопротивления переходов при подаче на них прямого и обратного напряжения. Для нормальной работы п-п-п-устройства на коллектор подается положительное напряжение, под действием которого открывается базовый переход. После возникновения тока базы появляется ток коллектора.Когда в базе появляется отрицательное напряжение, транзистор закрывается и ток прекращается.

Основной переход в п-п-п-устройствах размыкается под действием отрицательного напряжения на коллекторе. Положительное напряжение дает толчок к закрытию транзистора. Все требуемые коллекторные характеристики на выходе можно получить плавным изменением значений тока и напряжения. Это позволяет эффективно проверять биполярный транзистор тестером.

Существуют электронные устройства, все процессы в которых управляются действием электрического поля, направленного перпендикулярно току.Эти устройства называются полевыми или униполярными транзисторами. Основными элементами являются три контакта — исток, сток и затвор. Конструкция полевого транзистора дополнена проводящим слоем, выполняющим роль канала, по которому протекает электрический ток.

Данные устройства представлены модификациями «р» или «р»-канального типа. Каналы могут располагаться вертикально или горизонтально, а их конфигурация может быть объемной или приповерхностной. Последний вариант также делится на инверсионные слои, содержащие обогащенные и обедненные.Все каналы формируются под действием внешнего электрического поля. Приборы с поверхностным каналом имеют структуру металл-диэлектрик-полупроводник, поэтому их называют МДП-транзисторами.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Функциональную проверку биполярного транзистора можно выполнить с помощью цифрового мультиметра. Этот прибор измеряет постоянный и переменный ток, а также напряжение и сопротивление. Перед началом измерений прибор необходимо правильно настроить.Это позволит более эффективно решить задачу, как проверить биполярный транзистор мультиметром, не выпаивая.

Современные мультиметры могут работать в особом режиме измерения, поэтому на корпусе отображается значок диода. Когда решается вопрос, как проверить биполярный транзистор тестером, прибор переходит в режим проверки полупроводников, и на дисплее должна отображаться единица. Клеммы прибора подключаются так же, как и в режиме измерения сопротивления.Черный провод подключается к COM-порту, а красный провод подключается к выходу, измеряющему сопротивление, напряжение и частоту.

Старые мультиметры могут не иметь функции проверки диодов и транзисторов. В таких случаях все действия выполняются в максимальном режиме измерения сопротивления. Аккумулятор мультиметра необходимо зарядить перед началом работы. Кроме того, нужно проверить исправность щупов. Для этого их кончики соединяются друг с другом. Писк прибора и отображаемые на дисплее нули говорят об исправности щупов.

Проверка биполярного транзистора мультиметром выполняется в следующем порядке:

  • В первую очередь нужно правильно соединить выводы мультиметра и транзистора. Для этого нужно точно определить, где расположены база, коллектор и эмиттер. Для определения базы к первому электроду, который считается базой, подключается черный щуп. Другой красный щуп поочередно подключают сначала ко второму, а затем к третьему электроду.Щупы меняются местами до тех пор, пока прибор не обнаружит падение напряжения. После этого биполярный транзистор окончательно проверяют мультиметром и определяют пары: «база-эмиттер» или «база-коллектор». Электроды эмиттера и коллектора определяются цифровым мультиметром. В большинстве случаев падение напряжения и сопротивление на эмиттерном переходе выше, чем на коллекторном.
  • Определение p-n-перехода «база-коллектор»: красный щуп подключается к базе, а черный к коллектору.Такое подключение работает в диодном режиме и пропускает ток только в одном направлении.
  • Определение p-n перехода «база-эмиттер»: красный щуп остается подключенным к базе, а черный щуп необходимо подключить к эмиттеру. Как и в предыдущем случае, при таком подключении ток протекает только при прямом подключении. Это подтверждается проверкой транзистора npn мультиметром
  • .
  • Определение p-n-перехода «эмиттер-коллектор»: при исправности этого перехода сопротивление на этом участке будет стремиться к бесконечности.На это указывает единица измерения, отображаемая на дисплее.
  • Мультиметр подключается к каждой паре контактов в двух направлениях. То есть транзисторы типа р-р-р проверяются переподключением к щупам. В этом случае к базе подключается черный щуп. После измерений результаты сравниваются между собой.
  • После проверки pnp-транзистора мультиметром работоспособность биполярного транзистора подтверждается, когда при измерении одной полярности мультиметр показывает конечное сопротивление, а при измерении обратной полярности получается единица.Эта проверка не требует выпаивания детали из общей платы.

Многие пытаются решить вопрос, как проверить транзистор без мультиметра с помощью лампочек и других приборов. Делать это не рекомендуется, так как велика вероятность выхода элемента из строя.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Полевые транзисторы

широко используются в аудио- и видеоаппаратуре, мониторах и блоках питания. Функционирование большинства электронных схем зависит от их производительности.Поэтому в случае каких-либо неисправностей эти элементы проверяют различными способами, в том числе проверяют транзисторы без выпаивания схемы мультиметром.

Типовая схема полевого транзистора представлена ​​на рисунке. Основные выводы — затвор, сток и исток могут располагаться по-разному, в зависимости от марки транзистора. При отсутствии маркировки необходимо уточнить справочные данные, относящиеся к конкретной модели.

Основная проблема, возникающая при ремонте электронной аппаратуры с полевыми транзисторами, это проверка транзистора мультиметром без пайки. Как правило, неисправности касаются мощных полевых транзисторов, которые используются в блоках питания. Кроме того, эти устройства очень чувствительны к статическим разрядам. Поэтому, прежде чем решать, как прозвонить транзистор мультиметром на плате, следует надеть специальный антистатический браслет и ознакомиться с правилами техники безопасности при выполнении этой процедуры.

Проверка мультиметром предполагает те же действия, что и для биполярных транзисторов. Рабочий полевой транзистор имеет бесконечно большое сопротивление между выводами, независимо от приложенного к нему испытательного напряжения.

Тем не менее, решение вопроса, как прозвонить транзистор мультиметром, имеет свои особенности. Если положительный щуп мультиметра приложить к затвору, а отрицательный к истоку, то в этом случае емкость затвора зарядится и переход откроется.При измерении между стоком и истоком прибор показывает наличие небольшого сопротивления. Иногда инженеры-электрики при отсутствии практического опыта могут считать это неисправностью, что не всегда соответствует действительности. Это может быть важно при проверке строчного транзистора мультиметром. Перед началом проверки канала сток-исток рекомендуется выполнить короткое замыкание всех выводов полевого транзистора для разрядки емкостей переходов. После этого их сопротивления снова возрастут, после чего можно многократно прозвонить транзисторы мультиметром.Если эта процедура не дает положительного результата, то этот элемент нерабочий.

В полевых транзисторах, используемых для мощных импульсных блоков питания, очень часто на переходе сток-исток устанавливают внутренние диоды. Поэтому при тестировании этот канал проявляет свойства обычного полупроводникового диода. Поэтому, чтобы исключить ошибку, перед проверкой исправности транзистора мультиметром следует убедиться в наличии внутреннего диода.После первой проверки щупы мультиметра необходимо поменять местами. После этого на экране появится единица, указывающая на бесконечное сопротивление. Если этого не происходит, велика вероятность неисправности полевого транзистора. С помощью прибора можно не только проверить, но и измерить мультиметром транзистор.

Как проверить составной транзистор мультиметром

Составной транзистор или транзистор Дарлингтона представляет собой схему, которая объединяет два или более биполярных транзистора.Это позволяет значительно увеличить коэффициент усиления по току. Такие транзисторы применяются в схемах, рассчитанных на работу с большими токами, например, в стабилизаторах напряжения или выходных каскадах усилителей мощности. Они нужны, когда требуется высокое входное сопротивление, т.е. полное комплексное сопротивление.

Общие выводы составного транзистора такие же, как у биполярной модели. Таким же образом мультиметром проверяется npn-транзистор. В этом случае используется методика, аналогичная проверке обычного биполярного транзистора.

Занимаясь ремонтом и проектированием электроники часто приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора довольно проста, начинающие радиолюбители иногда могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях проверки биполярных транзисторов мы поговорим чуть позже, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор условно можно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, не что иное, как обычный p-n переход.

Вот принципиальная схема биполярного транзистора, которая поможет вам понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора показаны в виде полупроводниковых диодов.

Устройство

Биполярный транзистор p-n-p Структура с использованием диодов изображена следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p … Этот факт необходимо учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора n-p-n структуры, составленного из диодов. Эта цифра понадобится нам для последующей проверки.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода заключается в проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно показаны на рисунке в виде диодов.А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выходу анода диода, а минус (-) к катоду, тогда p-n переход откроется и диод начнет пропускать ток. Если сделать наоборот, подключите плюс (+ ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке окажется, что p-n переход пропускает ток в обе стороны, то он «пробит».Если p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то переход находится в «обрыве». Естественно, при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обратите внимание, что условная схема диодов необходима только для более наглядного представления методики проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более сложное устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диодов.На панели мультиметра режим проверки диодов изображается условной картинкой, которая выглядит так.

Думаю уже понятно, что мы будем проверять транзистор с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. Цифровой мультиметр имеет несколько измерительных проводов. Три или больше. При проверке транзистора необходимо отрицательный щуп ( черный ) подключить к гнезду СОМ (от английского слова common — «общий»), а положительный щуп ( красный ) в гнездо, помеченное знаком буква омега Ом , буквы V и возможно другие буквы.Все зависит от функциональности устройства.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключить щупы к мультиметру? Потому что щупы можно легко перепутать и подключить черный щуп, который условно считается «минусовым», к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. Это в итоге вызовет путаницу и, как следствие, ошибки. Будь осторожен!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдем к практике.

Какой мультиметр мы собираемся использовать?

Сначала проверим кремниевый биполярный транзистор отечественного производства КТ503 … Имеет структуру n-p-n … Вот его распиновка.

Для тех кто не знает что означает это непонятное слово распиновка поясняю. Распиновка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора коллектор ( ТО или английский — С ), эмиттер ( НС или английский — Е ), база ( В или английский — В ).

Сначала подключаем Красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а черный (-) щуп к выходу коллектора.Вот так мы проверяем работу p-n перехода в прямом соединении (то есть когда переход проводящий). На дисплее появляется значение напряжения пробоя. В данном случае оно равно 687 милливольт (687 мВ).

Как видите, p-n-переход между базой и эмиттером также проводит ток. На дисплее снова отображается значение напряжения пробоя, равное 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Е при прямом соединении.

Чтобы убедиться в исправности p-n переходов транзистора КТ503, проверим их в так называемом обратном включении … В этом p-n режиме переход не проводит ток, и на дисплее не должно быть ничего, кроме « 1 «. Если на дисплее отображается единица измерения » 1 «, это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Для проверки p-n переходов Б-К и Б-Э в обратном включении меняем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («черный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») щуп сначала подключаем к клемме коллектора…

… И далее, не отключая минусовой щуп от вывода базы, к эмиттеру.

Как видно из фотографий, в обоих случаях на дисплее отображалось » 1 «, что, как уже было сказано, свидетельствует о том, что p-n переход не пропускает ток. Итак, мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратного включения .

Если вы внимательно следили за презентацией, то заметили, что мы проверяли транзистор по ранее описанной методике.Как видите, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перехода транзистора.

Если какой-либо из переходов (БК или ВЕ) оборван, то при проверке их на дисплее мультиметра обнаружится, что в обе стороны, как при прямом включении, так и при обратном, они показывают непробойный p-n переход напряжения и сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (зуммер будет пищать), либо оно будет очень маленьким.

Обрыв P-N перехода транзистора.

В случае обрыва p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении — на дисплее в обоих случаях будет отображаться « 1 «. При таком дефекте p-n переход превращается как бы в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов p-n-p структуры осуществляется аналогично. Но при этом полярность должна быть обратной подключение измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения p-n-p транзистора в виде двух диодов.Если забыли, то посмотрите еще раз и увидите, что катоды диодов соединены между собой.

В качестве образца для наших экспериментов возьмем отечественный кремниевый транзистор КТ3107 p-n-p структуры. Вот его распиновка.

На картинках тест транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом подключении.

Как видите, переход в порядке. Мультиметр показал напряжение пробоя перехода — 722 мВ.

То же самое делаем для перехода B-E.

Как видите, тоже исправен. На дисплее отображается 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении — на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К с обратным включением…

Переход B-E при реверсивном включении.

В обоих случаях дисплей прибора — один » 1 «.Транзистор хороший.

Подведем итоги и опишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

    Определение цоколевки транзистора и его структуры;

    Проверка переходов B-K и BE при прямом включении с использованием функции проверки диодов;

    Проверка переходов Б-К и Б-Е в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диодов;

При проверке необходимо помнить, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов.К ним относятся составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «линейные») и др.

Все они имеют свои характеристики, такие как встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора иногда усложняет их проверку по данной методике. Поэтому перед проверкой неизвестного вам транзистора желательно ознакомиться с документацией на него (даташит).Я рассказал о том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему.

Как проверить транзистор? (Или как прозвонить транзистор) Такой вопрос, к сожалению, рано или поздно возникает у всех. Транзистор может быть поврежден перегревом при пайке или неправильным использованием. Если есть подозрение на неисправность, есть два простых способа проверить транзистор.

Как проверить транзистор мультиметром (тестером)

Проверка транзистора мультиметром (тестером) ( прозвонка транзистора ) производится следующим образом.
Для лучшего понимания процесса на рисунке показан «диодный аналог» NPN-транзистора. Те. транзистор как бы состоит из двух диодов. Тестер устанавливается на прозвонку диодов и прозванивается каждая пара контактов в обе стороны. Всего есть шесть вариантов.

  • База — Излучатель (BE)
  • База — коллектор (BC) : соединение должно вести себя как диод и
    проводить ток только в одном направлении.
  • Эмиттер-Коллектор (EC) : соединение не должно проводить ток в любом направлении.

При прозвоне pnp транзистора «диодный аналог» будет выглядеть так же, но с инвертированными диодами. Соответственно, направление протекания тока будет обратным, но тоже только в одном направлении, а в случае «Эмиттер — Коллектор» — ни в каком направлении.

Соберите схему с транзистором, как показано на рисунке. В этой схеме транзистор действует как «переключатель».Такую схему можно быстро собрать на печатной плате, например. Обратите внимание на резистор 10K, который входит в базу транзистора. Это очень важно, иначе при проверке транзистор «сгорит».

Если транзистор исправен, то при нажатии на кнопку светодиод должен загореться, а при отпускании — погаснуть.

Эта схема предназначена для тестирования транзисторов NPN. Если необходимо проверить транзистор pnp, в этой схеме необходимо поменять местами контакты светодиода и подключить питание наоборот.

Таким образом, можно сказать, что проверка транзистора мультиметром более проста и удобна. Кроме того, существуют мультиметры с функцией проверки транзисторов. Они показывают ток базы, ток коллектора и даже коэффициент усиления транзистора.

И помните, никто не умирает так быстро и тихо, как транзистор.

В технике и радиолюбительской практике часто применяют полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных биполярных транзисторов тем, что управляют выходным сигналом управляющим электрическим полем.Особенно широко используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Английское обозначение таких транзисторов — MOSFET, что означает «управляемый полем металлооксидно-полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти устройства часто называют МОП или МОП-транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

N-канальный транзистор состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, полученных добавлением в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями.Выводы (исток и сток) подключены к n-областям. Под действием источника питания ток может протекать от истока к стоку через транзистор. Величина этого тока контролируется изолированным затвором устройства.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому они должны храниться с выводами, закороченными фольгой, а перед пайкой выводы должны быть закорочены проволокой.Припаивать полевые транзисторы необходимо с помощью паяльной станции, обеспечивающей защиту от статического электричества.

Прежде чем приступить к проверке исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносят метки, определяющие соответствующие выводы транзистора.

Буква Г обозначает затвор устройства, буква С обозначает исток, буква Д обозначает сток.

Если на устройстве нет распиновки, необходимо посмотреть ее в документации к этому устройству.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед проверкой исправности полевого транзистора необходимо иметь в виду, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком стоит дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме устройства. Его полярность зависит от типа транзистора.

Общие правила заключаются в том, чтобы начать процедуру с определения работоспособности самого измерительного прибора.Убедившись в его безупречной работе, приступайте к дальнейшим измерениям.

Выводы:

  1. Полевые транзисторы типа MOSFET широко применяются в технике и радиолюбительской практике.
  2. Проверка работоспособности таких транзисторов может осуществляться с помощью мультиметра по определенной методике.
  3. Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется так же, как и n-канального транзистора, за исключением того, что полярность проводов мультиметра должна быть обратной.

Видео как проверить полевой транзистор

Сравнение BJT и MOSFET с адаптером для тестера транзисторов — Блог — Test & Tools

При создании проектов в области электроники вы, возможно, задавались вопросом, в чем разница между двумя наиболее часто используемыми типами транзисторов: транзисторами с биполярным переходом (BJT) и металлическими транзисторами. оксидно-полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET) и что выбрать для своего проекта. Вы должны учитывать множество различных факторов, чтобы прийти к решению.Среди прочего, к ним относятся уровень мощности, напряжение привода, эффективность, стоимость и скорость переключения. В этом руководстве обсуждаются некоторые различия между биполярным транзистором PNP и полевым МОП-транзистором с каналом P на основе их характеристических кривых, чтобы вы могли принять правильное решение.

 

 

В этом проекте используется Digilent Analog Discovery 2Analog Discovery 2 вместе с тестером транзисторов и моделью транзисторов BJT и MOSFET. Оба транзистора можно найти в наборе myParts KitmyParts Kit от Texas Instruments.

Analog Discovery 2Analog Discovery 2 — это USB-осциллограф, логический анализатор и многофункциональный прибор, который позволяет пользователям измерять, визуализировать, генерировать, записывать и контролировать схемы со смешанными сигналами всех типов. Это контрольно-измерительное устройство достаточно маленькое, чтобы поместиться в вашем кармане, но достаточно мощное, чтобы заменить набор лабораторного оборудования, обеспечивая его профессионалами в области инженерии, студентами и любителями. а энтузиастам электроники — свобода работы с аналоговыми и цифровыми схемами практически в любой среде, в лаборатории или за ее пределами.

 

Адаптер для тестера транзисторовАдаптер для тестера транзисторов — это модуль, который позволяет вам добавить функциональные возможности трассировщика характеристик в комплект вашего тестового оборудования. Адаптер для тестирования транзисторов позволяет анализировать характеристики дискретных полупроводниковых устройств, таких как диоды, транзисторы NPN и PNP, а также полевые транзисторы P-типа и N-типа. Адаптер для проверки транзисторов оснащен разъемом MTE 2×15, что делает его совместимым с Analog Discovery 2.

 

Подключение транзисторов

Подключайте по одному транзистору к адаптеру для выполнения соответствующих измерений.При работе с полевым МОП-транзистором подключите сток устройства к коллектору адаптера (обозначен «C»), затвор — к базе («B»), а исток — к эмиттеру («E»).

1 5 59
2 MOSFET 5 5
Collector («C») Collector Слив
База («B») BASE GATE
Emitter («E») Emitter Emitter

Участок Характеристика в кривой волн Curve Tracer

Tracer Tracer позволяет работать с адаптер тестера транзисторов и использует реле платформы для выполнения определенных измерений.С помощью Transistor Tester вы можете построить кривую характеристик диода, транзистора NPN, транзистора PNP, N-канального полевого транзистора и P-канального полевого транзистора напрямую. Посетите страницу справочника Digilent для получения дополнительной информации о Curve Tracer.

Сравните BJT и MOSFET

 

Мы сравнили поведение BJT и MOSFET в двух различных условиях.

 

напряжение коллектор-эмиттер (сток-исток) близко к 0

Ток стока MOSFET начинает расти вскоре после того, как напряжение сток-исток становится выше нуля.Длина линейного участка зависит от напряжения затвор-исток: чем выше напряжение, тем позже ток выходит на насыщение. Наклон кривых умеренный, увеличивается с увеличением напряжения затвор-исток. Ток коллектора BJT начинает увеличиваться при более высоком напряжении коллектор-эмиттер, но наклон становится более резким. Область насыщения заканчивается при определенном напряжении коллектор-эмиттер при любом токе базы, поэтому длина области насыщения зависит только от модели транзистора.Кривые для разных базовых токов в этой области очень близки.

 

Более высокие напряжения коллектор-эмиттер (сток-исток)

Когда ток стока MOSFET достигает насыщения, он остается постоянным при любом напряжении сток-исток, его значение будет зависеть только от напряжения затвор-исток. Можно заметить, что напряжение затвор-исток выше (до 5 В), чем напряжение, приложенное к сопротивлению, подключенному к базе биполярного транзистора (до 2,5 В). Это связано с тем, что напряжение затвор-исток полевого МОП-транзистора должно быть выше порогового напряжения для включения устройства (которое составляет около 3.5В в данном случае).

 

BJT, как и MOSFET, имеет предел напряжения база-эмиттер, ниже которого он считается выключенным (около 0,7 В в данном случае), но этот предел намного ниже порогового напряжения MOSFET.

 

 

Подробную информацию о проекте можно найти на справочной странице Digilent.

Полевой транзистор | Журнал Nuts & Volts


Необходимое устройство для современной ИС

Обычно используемый биполярный транзистор , в котором электроны или дырки проходят через два полупроводниковых перехода PN, по существу является устройством усиления тока .Хотя напряжение может быть усилено косвенно, если используются конфигурации проводки «общий эмиттер» или «общий коллектор», тем не менее, небольшое количество входного тока всегда должно поступать в базовую область транзистора для целей управления.

Другой тип полупроводникового устройства, полевой транзистор или «FET», не так знаком многим любителям электроники, возможно, потому, что его легко повредить при неправильном использовании. Полевой транзистор усиливает напряжение напрямую, а ток , необходимый для управления, настолько мал, что его нельзя измерить обычными приборами.На самом деле этот транзистор был первым типом полупроводникового усилителя, теоретически предсказанным в Bell Labs еще в 1950-х годах, но он не превратился в практическое устройство до тех пор, пока не стал популярным биполярный тип. Однако в настоящее время полевые транзисторы стали наиболее распространенным типом, их десятки миллионов в каждой микросхеме микропроцессора.

При таком огромном количестве транзисторов, работающих в одном кристалле, мы, конечно, не хотим, чтобы для управления каждым из них требовался большой ток — заряд батареи будет быстро расходоваться, и много тепла придется отводить. удаленный.Кроме того, существует множество других приложений, где желателен сверхнизкий входной ток. Очевидным примером является первая ступень точного вольтметра, когда мы не хотим вызывать каких-либо новых падений напряжения, отводя ток из исследуемой цепи.

Еще одним преимуществом полевого транзистора, возможно, менее важным, является тот факт, что его входные и выходные характеристики аналогичны характеристикам электронных ламп. Поскольку лампы используются примерно с 1910 года, у нас есть большой опыт работы с ними, и некоторые разработчики чувствуют себя более комфортно с полевыми транзисторами, чем с биполярными устройствами, особенно в аудиоусилителях.(Действительно ли это преимущество граничит как с эмоциональными, так и с научными факторами. Некоторые читатели могут узнать в авторе настоящей статьи одного из первых сторонников этого активно обсуждаемого вопроса, поэтому мы не будем его обсуждать. дальше сюда!)

Во всяком случае, полевой транзистор полностью реагирует на напряжение на управляющем электроде, и это можно использовать для дросселирования достаточно больших величин выходного тока и/или напряжения в двух других проводах.

JFET

Вместо того, чтобы делать транзистор, проводящий ток через оба PN-перехода при включении («биполярный»), один тип полевого транзистора можно изготовить только с одним PN-переходом («однопереходный»).Поскольку у него есть переход, он называется juncFET или JFET, а упрощенная диаграмма поперечного сечения показана на рис. 1 .

РИСУНОК 1. Упрощенное поперечное сечение JFET с рабочей схемой. Это N-канал, режим истощения и нормально включенный. Символ находится в правой части рисунка.


Прямоугольники, обведенные толстой линией, представляют собой твердые материалы, включая две области кремния P-типа, но не проводящие заметный ток.В середине есть область N-типа, которая может проводить весь ток. В очень простой схеме, показанной на схеме, которую читатель может легко построить, чтобы получить некоторый опыт работы с JFET, омметр измеряет напряжение, а также показывает ток нагрузки. Этот тип полевого транзистора обычно находится во включенном состоянии до подачи какого-либо управляющего напряжения. Если потенциометр 5К установить так, чтобы на «затворе» не было напряжения (сдвинув его стрелку вниз, как показано на схеме), то «положительный» ток нагрузки от омметра идет в левый верхний угол полевого транзистора, затем вниз в самый верхний металл, затем вниз через непрерывный кремний N-типа и из транзистора через нижний металл.(Области «Ox.» представляют собой изоляторы из диоксида кремния.)

Схема нарисована не в масштабе, и прямоугольники показывают области размером всего около микрона. (Более формальное обозначение размера — «микрометр», что составляет миллионную долю метра.) Металл обычно представляет собой тонкую алюминиевую или медную пленку толщиной около микрона, и вся конфигурация иногда бывает более сложной, чем показано на этой упрощенной схеме. Кремний P-типа (справа, как показано здесь) в основном просто механическая опора для меньших активных областей, которые обеспечивают проводимость.Его часто называют «подложкой».

Чтобы выключить транзистор, можно увеличить значение потенциометра 5K, чтобы обеспечить отрицательное управляющее напряжение. Это заряжает область P-типа, но на самом деле электричество практически не течет, потому что есть «обратно смещенный» PN-переход (отрицательное напряжение на кремнии P-типа и положительное на N). Однако этот заряд сильно отталкивает электроны от очень тонкого проводящего «канала» N-типа в середине. Там образуется обедненная зона, содержащая меньше электронов, поэтому кремний внутри овала со штриховыми линиями становится собственным (I-типа, как обозначено буквой I в скобках), который является изолирующим, и полевой транзистор перестает проводить.Этот тип поведения называется «режим истощения». Поскольку управляющее действие осуществляется электрическим полем (а не носителями, текущими в базовую область), все устройство называется полевым транзистором или «FET».

Один металлический электрод называется истоком, один — затвором, а третий — стоком, подобно эмиттеру, базе и коллектору в биполярном транзисторе. Это «N-канальное» устройство, потому что ток проходит через кремний N-типа. Символ показан справа от поперечного сечения.Другой тип JFET, устройство с «P-каналом», имеет противоположные типы полупроводниковых областей P и N, поэтому стрелка на символе направлена ​​в сторону от канала. Этот тип ворот должен быть заряжен положительно, чтобы отключить канал, отталкивая дырки. Он не так распространен, как показанный здесь, но он существует и может быть полезен для особых целей.

Диод постоянного тока

Интересным применением JFET является «диод постоянного тока». Общий эффект аналогичен эффекту биполярного регулятора напряжения, за исключением того, что здесь регулируется ток вместо напряжения.Это может быть очень простая схема, как показано на рис. 2 , схема B.

РИСУНОК 2. N-канальный JFET, подключенный как саморегулирующееся устройство постоянного тока, с символом, показанным рядом с ним слева. Два других символа справа относятся к источникам постоянного тока, включающим в себя источники питания, такие как батареи.


Глядя на отрицательный ток, который течет вверх через резистор, часть его будет направлена ​​на затвор, который частично отключает полевой транзистор.Это отрицательная обратная связь, поэтому если ток в цепи начинает увеличиваться, то транзистор еще больше запирается. Таким образом, протекает меньший ток, пока не будет достигнут некоторый постоянный уровень тока. JFET и потенциометр находятся внутри изолирующего пластикового «упаковки». Все это, а также источник питания, такой как батарея (здесь не показана), обозначен двумя перекрывающимися кругами, Рисунок 2 , диаграмма C. Иногда используется альтернативный символ со стрелкой вверх, особенно в Европе, как показано на рисунке. на схеме Д.

МОП-транзистор

Другой тип полевого транзистора показан на рис.

РИСУНОК 3. Упрощенная диаграмма поперечного сечения полевого МОП-транзистора с рабочей схемой. Это N-канальный, расширенный режим, и обычно он выключен. Два альтернативных символа показаны справа.


В этом транзисторе имеется изолирующий диоксид кремния, чтобы предотвратить попадание тока затвора в основной полупроводник вместо перехода с обратным смещением, который использовался в JFET.Его иногда называют «IGFET» из-за изолированного затвора. Это обычно выключенное устройство, которое должно быть включено каким-либо действием, и поэтому оно называется устройством с «расширенным режимом». (IGFET также может быть выполнен в режиме обеднения.)

На рисунке, если потенциометр повернут до нулевого напряжения, то ток батареи, стремящийся пройти как через лампочку, так и через транзистор, будет остановлен одним из PN-переходов. На этой диаграмме это верхний, который имеет обратное смещение.(Изначально пунктирная линия и область N в середине отсутствуют.)

Если стрелка потенциометра поднята и теперь на затвор подается положительный потенциал, дырки в кремнии P-типа отталкиваются, в результате чего эта область становится N-типа (на что указывает буква N в скобках). Теперь нет PN-перехода непосредственно на пути между верхней и нижней областями N-типа, потому что все это одна непрерывная область N-типа (нарисованная вертикальной чертой со штриховой линией в качестве одного края).Этот транзистор также N-канальный, потому что электричество проходит через кремний N-типа, когда он включен.

Если читатель хочет получить некоторый опыт работы с МОП-транзистором, амперметр может быть размещен, как показано на рис. 3 , чтобы показать, что через затвор не протекает измеряемый ток, даже когда лампочка горит. На этой схеме мультиметр переключен на измерение тока и перемещен к выводу затвора. (Эта схема также может быть использована для эксперимента с JFET. Экспериментатор должен помнить, что меры предосторожности во избежание повреждения МОП-устройств описаны в разделе «Чувствительность к электростатическим разрядам» ниже.)

Символы для MOSFET показаны справа. Стрелка в данном случае указывает на то, что электрод «исток» внутренне соединен с подложкой, что часто делается, если один из PN-переходов не собирается использоваться.

Если бы устройство было P-канальным, исток и сток были бы P-типа, а стрелка была бы направлена ​​в сторону от подложки N-типа.

Характеристические кривые и грузовая марка

Типичные «технические листы» FET используют форматы, аналогичные форматам электронных ламп.Формы кривых почти такие же, но напряжения обычно намного ниже. Вход — это V GS , а выход — это I D . В этом случае полевой МОП-транзистор типа 2N7000 используется в режиме расширения N-канала.

«Линия нагрузки» показана здесь пунктирной линией. Его наклон представляет собой эффект сопротивления нагрузки (например, лампочка в рис. 4 ), и он весьма ценен как способ показать величину тока в любой ситуации.

РИСУНОК 4. Характеристические кривые для полевого МОП-транзистора 2N7000 с линией нагрузки.


В показанном здесь случае сопротивление нагрузки составляет 1000 Ом, а V DS — 20 вольт. Пунктирная линия нагрузки проведена от максимально возможного напряжения (обозначенного здесь как B) до максимально возможного тока с этой конкретной нагрузкой, который составляет 20 В/1 кВт = 20 мА (обозначен как A). Если транзистор частично включен (V GS = 3 вольта), ток стока будет около 11 мА, как показано точкой пересечения (круг под буквой C).

КМОП

Два МОП-транзистора противоположного типа могут быть подключены, как в Рисунок 5 , в комплементарной конфигурации МОП-транзистора («КМОП»).

РИСУНОК 5. Пара КМОП-транзисторов . Ток чрезвычайно низок, когда нет входного сигнала.


Когда на вход не подается сигнал, один из транзисторов всегда «закрыт», поэтому практически нулевой ток может проходить от источника питания вниз через резистор, а затем через пару транзисторов.Когда на вход поступает сигнал, то ток нагрузки может сниматься с выходной клеммы либо при высоком (V+), либо при низком (земля) напряжении, в зависимости от полярности входного напряжения. Однако в ситуациях, когда нет входа, общий ток практически равен нулю.

Современные интегральные схемы имеют миллионы транзисторов, подключенных параллельно, поэтому, если бы через каждый неиспользуемый транзистор протекал всего микроампер «тока утечки», источник питания или батарея все равно постоянно потребляли бы ампер или больше.Это будет генерировать много тепла, а также слишком быстро разряжать батареи для портативных устройств. Поэтому почти во всех современных калькуляторах, портативных компьютерах, сотовых телефонах и т. д. по возможности используются КМОП-схемы.

Чувствительность к электростатическим разрядам

МОП-транзистор особенно восприимчив к статическому электричеству, которое возникает, когда человек идет по ковру в сухую погоду. Искра, которую человек производит при прикосновении к металлической лицевой панели выключателя освещения, называется электростатическим разрядом или «ESD», но полевой МОП-транзистор может быть поврежден, даже если статического электричества недостаточно для образования видимой искры.

Статическое электричество может разрушить очень тонкий оксид кремния, изолирующий ворота. Некоторые МОП-транзисторы защищены стабилитронами, присоединенными параллельно им, внутри корпусов, но большинство не защищены. Чтобы предотвратить повреждение, люди, работающие с IGFET, всегда должны соблюдать следующие две меры предосторожности:

  1. Прикасайтесь руками только к пластиковой изоляции, а не непосредственно к металлическим проводам;
  2. Используйте браслет с заземлением.

Последний представляет собой пластиковую ленту (обычно черного или розового цвета), проводящую электричество и прикрепленную к длинному проводу.Его следует закрепить на любом запястье, касаясь кожи человека, а затем другой конец провода подключить к хорошему заземлению, например к водопроводной трубе. НВ


Список деталей

JFET N-канальный
Потенциометр 5000 Ом
Мощный МОП-транзистор N-канальный
Лампа накаливания Вольфрам, 12 В, 40 мА
Аккумулятор Девять вольт
Мультиметр  
Антистатический браслет  

Схема включения мосфет-транзисторов.Как простым омметром проверить полевой транзистор

Полупроводниковые элементы типа транзисторов являются составной частью практически всех электронных схем — от радиоприемников до материнских плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность — операция, которую под силу выполнить любому, кто хоть как-то занимается ремонтом электронных плат, будь он профессиональным ремонтником или любителем.

Для осуществления данной операции можно использовать специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или есть сомнения в его надежности, можно воспользоваться самым обычным мультиметром.Для точной проверки можно использовать даже модели, не имеющие специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов. Для этого мультиметр устанавливается в режим максимального сопротивления, или «прозвонки», если таковая имеется.

Общий алгоритм проверки

Как проверить транзистор мультиметром? В целом алгоритм выглядит так:

Дальнейшие шаги проверки будут зависеть от того, какой тип элемента вы хотите проверить. В основном в электронике используются полупроводниковые элементы двух типов — биполярные и полевые.

Биполярный

Как проверить биполярный транзистор мультиметром? В первую очередь нужно выяснить, к какому из двух подтипов, npn или pnp, он относится. Для этого вспомним, что такое биполярный транзистор.

Это полупроводниковый элемент, в котором реализован так называемый npn или pnp переход. N-p-n — это переход электрон-дырка-электрон, p-n-p, соответственно, наоборот, дырка-электрон-дырка. Конструктивно он состоит из трех частей – эмиттера, коллектора и базы.По сути биполярка это два спаренных обычных диода, у которых база является общей точкой соединения.

На схеме pnp транзистор отличается от своего npn-собрата направлением стрелки в окружности — стрелка эмиттерного перехода. У цепей pnp он направлен на базу, у npn наоборот.

Эту разницу нужно знать, чтобы проверить биполярный транзистор. Pnp-схема открывается при подаче отрицательного напряжения на базу, npn — положительного. Но перед этим необходимо выяснить, какой из контактов проверяемого транзистора является базой, какой эмиттерным, а какой коллекторным.

Обратите внимание, что определить описанным ниже способом, какой из контактов является базовым, а какой эмиттерным и коллекторным, можно только при исправном элементе. Сам по себе тот факт, что транзистор прошел эту проверку, говорит о том, что он, скорее всего, исправен.

Инструкция здесь может быть следующая:

  1. красный (плюсовой) щуп подключается к первому доступному выходу, например, левый, черный (минусовой) щуп попеременно касается центрального и правого.Зафиксируйте значение «1» по центру, а 816 Ом, например, справа;
  2. красный щуп мультиметра закорочен с центральным контактом, черный попеременно с боковым контактом. Прибор выдает слева «1», а справа какое-то значение, скажем, 807;
  3. при соприкосновении красного щупа мультиметра с правым выводом, а черного — с левым и центральным, в обоих случаях получаем «1». Это значит, что база определена — это правый контакт транзистора.А сам транзистор p-n-p-типа.

В принципе этого достаточно, чтобы сказать, что транзистор в норме. Теперь, чтобы проверить его структуру и конкретное расположение эмиттера и коллектора, закорачиваем черный (минусовой) щуп мультиметра с основанием, а красный по очереди с левым и центральным контактом.


Контакт, дающий меньшее значение сопротивления, будет коллекторным (в нашем случае 807 Ом). Тот, что самый большой — 816 Ом — эмиттерный.

Проверка транзистора типа npn такая же, только на базу подается плюсовой контакт.

Таким образом pn проверяет переходы между базой и коллектором и базой и эмиттером. Показания мультиметра могут быть разными, в зависимости от типа транзистора, но всегда будут лежать в пределах 500-1200 Ом. Коснитесь щупов эмиттера и коллектора, чтобы завершить тест. Действительный предмет будет производиться бесконечно. большое сопротивление независимо от его типа, независимо от того, как вы меняете полярность.Если значение на экране отличается от «1» — один из переходов нарушен, деталь непригодна для работы.

Проверка без полива

Если вы не уверены, что вам нужно проверить именно этот транзистор, вы можете измерить его параметры на плате без пайки. Но при этом мультиметр должен показывать значения в пределах 500-1200 Ом. Если они измеряются в единицах или даже десятках Ом, цепь шунтируют низкоомными резисторами. Для точной проверки транзистор придется выпаять.

Полевой

Полевой, он же — мосфет-транзистор отличается от биполярного тем, что в нем может протекать либо только положительный заряд, либо только отрицательный («дырка» или электрон). Его контакты имеют разное значение — затвор, сток, исток.


Как проверить полевой транзистор мультиметром? Методика испытаний почти такая же, как и в предыдущем случае, но сначала, во избежание выхода элемента из строя, необходимо снять заряд статического электричества, так как полевик очень чувствителен к статике.Используйте антистатический браслет или просто коснитесь рукой заземленного металлического элемента, например корпуса приборной панели.

У выездников всегда небольшая проводимость между стоком и истоком, которая выявляется на экране мультиметра как сопротивление порядка 400-700 Ом. Если поменять полярность, сопротивление немного изменится, увеличится или упадет на 40-60 Ом. Перед этим необходимо закоротить между собой исток и сток, чтобы «обнулить» емкость перехода.

Если при проверке мультиметром между истоком и стоком обнаружено бесконечно большое сопротивление, неисправен полевой транзистор.
  Между истоком и затвором или стоком и затвором также будет обнаружена проводимость, но только в одном направлении. Плюс, приложенный к затвору, а минус — к истоку, вызовет размыкание перехода и, соответственно, значение на экране в пределах 400-700 Ом. Обратная схема — плюс к истоку, минус к затвору — в исправном полевике даст «1», т.е.очень большое сопротивление.

Проверка дренажной линии аналогична. Если линия исток-затвор или сток-затвор имеет проводимость в обоих направлениях, это означает, что полевой транзистор пробит.

В заключение необходимо сказать несколько слов о составном типе. Составной транзистор — элемент, объединяющий в себе два обычных биполярных транзистора (иногда три и более). Проверка мультиметром выполняется аналогично методике для простой «двухполярки».

В современной электронной технике все шире используются полевые транзисторы.Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой техники. При ремонте мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов. В статье автор рассказывает, как проверить полевой транзистор с помощью обычного омметра.

Полевые транзисторы (ПТ)

благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, нашли широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры.

При ремонте приборов, в которых используются полевые транзисторы, перед ремонтниками очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов. Чаще всего приходится иметь дело с выбитыми мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания.

Расположение выходных полевых транзисторов (Затвор — Сток — Исток) может быть другим. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого устройства (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S).При отсутствии такой маркировки целесообразно использовать справочные данные.

Во избежание выхода из строя транзистора при проверке очень важно соблюдать правила безопасности при проверке полевых транзисторов. Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, устраивая заземление. Для снятия с себя накопившихся статических электрических зарядов необходимо надеть заземляющий антистатический браслет.Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты вместе.

При проверке ПТ чаще всего используют обычный омметр. Рабочий полевой транзистор должен иметь бесконечное сопротивление между всеми его выходами. Более того, прибор должен показывать бесконечное сопротивление независимо от приложенного испытательного напряжения. Следует отметить, что есть некоторые исключения. Если во время проверки приложить положительный щуп к затвору (G) n-транзистора, а отрицательный к истоку (S), то емкость затвора зарядится и транзистор откроется.При измерении сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Такое поведение транзистора неопытные ремонтники могут принять за его неисправность. Поэтому перед «прозвонкой» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить емкость затвора. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор считается неисправным.

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком находится встроенный диод, поэтому канал сток-исток при проверке ведет себя как обычный диод.Во избежание досадных ошибок имейте в виду наличие такого диода и не принимайте его за неисправность транзистора. Убедитесь, что диод достаточно прост. Измерительные провода тестера необходимо поменять местами, и он должен показывать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не происходит, то, скорее всего, пробит транзистор. В остальном тестируемый транзистор ничем не отличается от приведенного выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

Описание:

МОП-транзисторы в последнее время набирают все большую популярность. Они могут служить хорошей заменой реле и биполярным транзисторам.

Чтобы сэкономить и не бегать лишний раз в магазин, MOSFET транзисторы можно выпаять из нерабочей материнки или любого модуля управления.

А как проверить работоспособность этих радиодеталей?
  Для этого нам понадобится только одно устройство — тестер.
 Должен быть у каждого радиолюбителя (даже у начинающего)!

В подавляющем большинстве тестеров есть режим «прозвонки», совмещенный с проверкой падения напряжения на диодах.
  Здесь мы переводим тестер в этот режим.

Теперь посмотрим на схему N-канального МОП-транзистора.

В цепи сток-исток стоит диод. Кстати, его наличие обусловлено технологией производства.
  Тестер может подтвердить наличие этого диода.

0,5 В — падение напряжения на внутреннем диоде Шоттки. Если поменять щупы в некоторых местах, то должен быть «обрыв».

А теперь можно проверить затвор.
  Тестер должен показывать «обрыв» при проверке затвор-исток и затвор-сток, причем полярность щупов не имеет значения.

Но что интересно, если черный щуп («-«) удержать у истока, а красный щуп («+») коснуться затвора, то транзистор откроется. В чем мы снова можем убедиться, проверив сток-источник.

Тестер покажет практически нулевое сопротивление.

Теперь наденьте щуп «+» на слив, а черный щуп на затвор и проверьте сток-исток.Тестер снова покажет либо падение напряжения на диоде, либо «обрыв», то есть транзистор закрыт!

Кстати, есть еще одна тонкость — если открыть транзистор и измерить сопротивление сток-исток, но не сразу, а через некоторое время, тестер покажет ненулевое сопротивление. И чем больше пройдет времени, тем сильнее будет сопротивление.

Почему это происходит? А все очень просто — емкость между затвором и стоком довольно большая (обычно несколько нанофарад) и когда мы открываем MOSFET транзистор, эта емкость заряжается.А поскольку полевой транзистор управляется полем, а не током, то пока конденсатор не разрядится, транзистор будет открыт.

Р-канальный MOSFET транзистор можно проверить по тому же принципу, только полярность затвора другая.

    Содержание:

В электронике и электронике транзисторы являются одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема.Среди них наибольшее распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, поэтому каждый полевой транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, управляемый напряжением. Наиболее часто используемыми элементами являются утепленные ворота. При эксплуатации электронных приборов и оборудования часто возникает необходимость проверки полевого транзистора мультиметром, не нарушая общей схемы и не заливая ее. Кроме того, на результаты испытаний влияет модификация этих устройств, которые технологически делятся на р- или р-канальные.

Устройство и принцип работы полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к полупроводниковым приборам. Их армирующие свойства создаются потоком основных носителей, протекающим по проводящему каналу и управляемым электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы делятся на две группы: элементы с управляющим p-n-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, заслонка которых отделена от канала p-n-переходом, смещенным в обратную сторону. Носители заряда попадают в канал через электрод, называемый источником. Выходной электрод, через который уходят носители заряда, называется стоком. Затвор третьего электрода выполняет функцию регулировки сечения канала.

При подключении отрицательного напряжения к истоку и положительного к стоку в самом канале появляется электричество.Он создается перемещением от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Другой характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов на всем протяжении электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного p-n перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет большим, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала.Это обеспечивает усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.


Существуют полевые транзисторы, в которых затвор отделен от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка — полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокую. В свою очередь, он состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждый из них нанесен металлический электрод — исток и сток.Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, полученная структура включает в себя металл, диэлектрик и полупроводник. Это свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром без пайки. Поэтому этот тип транзистора обозначается аббревиатурой МДП. Они отличаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Прежде чем приступить к проверке исправности полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, чтобы не допустить поломки транзистора.Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их установкой необходимо проверить заземление. Для снятия с себя накопившихся статических зарядов следует использовать антистатический заземляющий браслет, надетый на руку. При отсутствии такого браслета можно просто прикоснуться рукой к батарее отопления или другим заземленным предметам.


Хранение полевых транзисторов, особенно малой мощности, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Один из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период находятся в замкнутом состоянии между собой.Конфигурация баз, то есть расположение выводов в разных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток — Drain, исток — Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. При отсутствии маркировки необходимо пользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Тест можно выполнить с помощью, но удобнее и эффективнее будет прозвонка с цифровым мультиметром, настроенным на проверку p-n-скачков.Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее в пределе х100, будет численно соответствовать напряжению на p-n-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. В первую очередь нужно знать, что исправный транзистор имеет бесконечное сопротивление между всеми своими выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть приложенного напряжения.


Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком.В итоге при решении задачи, как мультиметром прозвонить полевой транзистор, канал сток-исток ведет себя аналогично обычному диоду. Минусовым черным щупом нужно коснуться подложки — сток D, а плюсовым красным щупом — вывод истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. При обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно большое сопротивление.

Далее черный щуп остается на месте, а красный щуп касается выхода вентиля G и возвращается на выход истока S.При этом мультиметр покажет значение, близкое к нулю, вне зависимости от полярности подаваемого напряжения.

Как проверить полевой транзистор тестером: Страница не найдена

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

В современной электронной технике все шире используются полевые транзисторы. Разработчики используют их в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой техники. При ремонте мастер сталкивается с необходимостью проверки исправности мощных полевых транзисторов.В статье автор рассказывает, как проверить полевой транзистор с помощью обычного омметра.

Полевые транзисторы (ПТ)

благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, нашли широкое применение в блоках питания телевизоров, мониторов, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры.

При ремонте приборов, в которых используются полевые транзисторы, перед ремонтниками очень часто возникает задача проверки целостности и работоспособности этих транзисторов.Чаще всего приходится иметь дело с выбитыми мощными полевыми транзисторами импульсных блоков питания.

Расположение выходных полевых транзисторов (Затвор — Сток — Исток) может быть другим. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого устройства (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). При отсутствии такой маркировки целесообразно использовать справочные данные.

Во избежание выхода из строя транзистора при проверке очень важно соблюдать правила безопасности при проверке полевых транзисторов.Дело в том, что полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, устраивая заземление. Для снятия с себя накопившихся статических электрических зарядов необходимо надеть заземляющий антистатический браслет. Также следует помнить, что при хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты вместе.

При проверке ПТ чаще всего используют обычный омметр. Рабочий полевой транзистор должен иметь бесконечное сопротивление между всеми его выходами.Более того, прибор должен показывать бесконечное сопротивление независимо от приложенного испытательного напряжения. Следует отметить, что есть некоторые исключения. Если во время проверки приложить положительный щуп к затвору (G) n-транзистора, а отрицательный к истоку (S), то емкость затвора зарядится и транзистор откроется. При измерении сопротивления между стоком (D) и истоком (S) прибор покажет некоторое значение сопротивления, которое зависит от ряда факторов. Такое поведение транзистора неопытные ремонтники могут принять за его неисправность.Поэтому перед «прозвоном» канала «сток-исток» замкните накоротко все ножки транзистора, чтобы разрядить затворную емкость. После этого сопротивление сток-исток должно стать бесконечным. В противном случае транзистор считается неисправным.

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком встроен диод, поэтому канал сток-исток при тестировании ведет себя как обычный диод. Во избежание досадных ошибок имейте в виду наличие такого диода и не принимайте его за неисправность транзистора.Убедитесь, что диод достаточно прост. Измерительные провода тестера необходимо поменять местами, и он должен показывать бесконечное сопротивление между стоком и истоком. Если этого не происходит, то, скорее всего, пробит транзистор. В остальном тестируемый транзистор ничем не отличается от приведенного выше. Таким образом, имея под рукой обычный омметр, можно легко и быстро проверить мощный полевой транзистор.

Ваше мнение имеет значение
   оцените свой результат (рейтинг — 18 раз)